TY - JOUR

T1 - Автоматизация измерений скорости роста гетероэпитаксиальных структур ALN/GAN с двумерным электронным газом, выращиваемых методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии

AU - ЛЯПУСТИН, И.Н.

AU - МАНСУРОВ, В.Г.

AU - МАЛИН, Т.В.

AU - ГИЛИНСКИЙ, А.М.

AU - МАЙДЭБУРА, Я.Е.

AU - ВДОВИН, В.И.

AU - ЖИВОДКОВ, Ю.А.

AU - МИЛАХИН, Д.С.

N1 - Работа выполнена в рамках государственного задания FWGW-2025-0025 «Наногетероэпитаксиальные структуры на основе нитрида галлия для твердотельной СВЧ и силовой электроники». Автоматизация измерений скорости роста гетероэпитаксиальных структур AlN/GaN с двумерным электронным газом, выращиваемых методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии / И. Н. Ляпустин, В. Г. Мансуров, Т. В. Малин [и др.] // Автометрия. – 2025. – Т. 61, № 4. – С. 122-133. – DOI 10.15372/AUT20250412.

PY - 2025

Y1 - 2025

N2 - Предложен совместимый с ростовым процессом способ обработки рефлектограмм, регистрируемых in situлазерным рефлектометром в процессе роста методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) слоёв A3-нитридов. Этот способ включает фильтрацию данных на основе быстрого преобразования Фурье. Установлено, что причиной появления дополнительного высокочастотного сигнала, мешающего регистрации информативных интерференционных колебаний интенсивности отражённого света, является качание держателя с установленным на него образцом в процессе вращения во время роста. Вращение образца - необходимый технологический приём при росте методом МЛЭ, обеспечивающий повышение однородности параметров эпитаксиальных плёнок. Сопоставление значений толщин отдельных слоёв A3-нитридов, установленных с помощью программной обработки рефлектограмм, со значениями, определёнными методом сканирующей электронной микроскопии, продемонстрировало хорошее согласие обоих способов определения толщин эпитаксиальных слоёв. Разработано программное обеспечение, позволяющее автоматически фильтровать высокочастотные сигналы и оценивать скорость роста отдельных слоёв A3-нитридов, выращиваемых методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии.

AB - Предложен совместимый с ростовым процессом способ обработки рефлектограмм, регистрируемых in situлазерным рефлектометром в процессе роста методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) слоёв A3-нитридов. Этот способ включает фильтрацию данных на основе быстрого преобразования Фурье. Установлено, что причиной появления дополнительного высокочастотного сигнала, мешающего регистрации информативных интерференционных колебаний интенсивности отражённого света, является качание держателя с установленным на него образцом в процессе вращения во время роста. Вращение образца - необходимый технологический приём при росте методом МЛЭ, обеспечивающий повышение однородности параметров эпитаксиальных плёнок. Сопоставление значений толщин отдельных слоёв A3-нитридов, установленных с помощью программной обработки рефлектограмм, со значениями, определёнными методом сканирующей электронной микроскопии, продемонстрировало хорошее согласие обоих способов определения толщин эпитаксиальных слоёв. Разработано программное обеспечение, позволяющее автоматически фильтровать высокочастотные сигналы и оценивать скорость роста отдельных слоёв A3-нитридов, выращиваемых методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии.

KW - АЗ-Нитриды

KW - Аммиачная МЛЭ

KW - гетероструктуры ALGAN/ALN/GAN

KW - Скорость роста

KW - Фильтрация на основе быстрого преобразования Фурье

KW - III-NITRIDES

KW - AMMONIA MBE

KW - ALGAN/ALN/GAN HETEROSTRUCTURES

KW - GROWTH RATE

KW - FFT FILTERING

UR - https://www.mendeley.com/catalogue/91d92e4c-c6bf-32b9-9833-6517090e48b0/

UR - https://elibrary.ru/item.asp?id=82860551

U2 - 10.15372/aut20250412

DO - 10.15372/aut20250412

M3 - статья

VL - 4

SP - 122

EP - 133

JO - Автометрия

JF - Автометрия

SN - 0320-7102

IS - 4

ER -