Моделирование димеризации атомов на поверхности структурированных подложек Si

Standard

Моделирование димеризации атомов на поверхности структурированных подложек Si. / Новиков, Павел Леонидович ; Павский, Кирилл Валерьевич; Цынк, Павел Николаевич.

In: Известия вузов. Физика, Vol. 68, No. 7 (812), 2025, p. 87-94.

Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

BibTeX

@article{1e62251fd45a45529ff5f3d688235edb,

title = "Моделирование димеризации атомов на поверхности структурированных подложек Si",

abstract = "Методом молекулярной динамики проведено моделирование процесса димеризации атомов на стенках ямок в структурированных подложках Si. Обнаружено, что микроскопический механизм эпитаксиального роста Ge на структурированных подложках Si обусловлен образованием H-образных атомных конфигураций, включающих 2 атома димера и 4 атома в подлежащем атомном слое.",

keywords = "МОДЕЛИРОВАНИЕ, МЕТОД МОЛЕКУЛЯРНОЙ ДИНАМИКИ, ДИМЕРИЗАЦИЯ, СТРУКТУРИРОВАННЫЕ ПОДЛОЖКИ",

author = "Новиков, {Павел Леонидович} and Павский, {Кирилл Валерьевич} and Цынк, {Павел Николаевич}",

note = "Новиков, П. Л. Моделирование димеризации атомов на поверхности структурированных подложек Si / П. Л. Новиков, К. В. Павский, П. Н. Цынк // Известия вузов. Физика. – 2025. – Т. 68, № 7(812). – С. 87-94. – DOI 10.17223/00213411/68/7/11. – EDN CGIMWP. Работа выполнена в рамках Государственного задания Министерства науки и высшего образования Российской Федерации (тема № FWGW-2022-0011).",

year = "2025",

doi = "10.17223/00213411/68/7/11",

language = "русский",

volume = "68",

pages = "87--94",

journal = "Известия высших учебных заведений. Физика",

issn = "0021-3411",

publisher = "Издательство: Национальный исследовательский Томский государственный университет",

number = "7 (812)",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - Моделирование димеризации атомов на поверхности структурированных подложек Si

AU - Новиков, Павел Леонидович

AU - Павский, Кирилл Валерьевич

AU - Цынк, Павел Николаевич

N1 - Новиков, П. Л. Моделирование димеризации атомов на поверхности структурированных подложек Si / П. Л. Новиков, К. В. Павский, П. Н. Цынк // Известия вузов. Физика. – 2025. – Т. 68, № 7(812). – С. 87-94. – DOI 10.17223/00213411/68/7/11. – EDN CGIMWP. Работа выполнена в рамках Государственного задания Министерства науки и высшего образования Российской Федерации (тема № FWGW-2022-0011).

PY - 2025

Y1 - 2025

N2 - Методом молекулярной динамики проведено моделирование процесса димеризации атомов на стенках ямок в структурированных подложках Si. Обнаружено, что микроскопический механизм эпитаксиального роста Ge на структурированных подложках Si обусловлен образованием H-образных атомных конфигураций, включающих 2 атома димера и 4 атома в подлежащем атомном слое.

AB - Методом молекулярной динамики проведено моделирование процесса димеризации атомов на стенках ямок в структурированных подложках Si. Обнаружено, что микроскопический механизм эпитаксиального роста Ge на структурированных подложках Si обусловлен образованием H-образных атомных конфигураций, включающих 2 атома димера и 4 атома в подлежащем атомном слое.

KW - МОДЕЛИРОВАНИЕ

KW - МЕТОД МОЛЕКУЛЯРНОЙ ДИНАМИКИ

KW - ДИМЕРИЗАЦИЯ

KW - СТРУКТУРИРОВАННЫЕ ПОДЛОЖКИ

UR - https://elibrary.ru/item.asp?id=82744231

U2 - 10.17223/00213411/68/7/11

DO - 10.17223/00213411/68/7/11

M3 - статья

VL - 68

SP - 87

EP - 94

JO - Известия высших учебных заведений. Физика

JF - Известия высших учебных заведений. Физика

SN - 0021-3411

IS - 7 (812)

ER -

ID: 74504513