Спектроскопия комбинационного рассеяния света и фотолюминесценция нанопроволок GaAs

Standard

Спектроскопия комбинационного рассеяния света и фотолюминесценция нанопроволок GaAs. / Калачев, Иван Владимирович; Milekhin, Ilya; Емельянов, Е. А. et al.

In: Автометрия, Vol. 59, No. 6, 1, 2023, p. 3-11.

Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

BibTeX

@article{7b3b603963ee4ac39a163ea47a300b49,

title = "Спектроскопия комбинационного рассеяния света и фотолюминесценция нанопроволок GaAs",

abstract = "Представлены экспериментальные данные по изучению фононных и оптических свойств нанопроволок GaAs ориентации (111), расположенных на золотой подложке с помощью методов спектроскопии комбинационного рассеяния света (КРС) и фотолюминесценции (ФЛ). Структурные параметры нанопроволок были определены методами атомно-силовой (АСМ) и сканирующей электронной микроскопии (СЭМ). В спектрах микроКРС и микроФЛ отдельной нанопроволоки GaAs наблюдаются моды оптических фононов GaAs и их обертонов, вплоть до третьего порядка, и полоса экситонной фотолюминесценции. В спектрах микроФЛ проявляется анизотропия интенсивности ФЛ в нанопроволоках, причём максимальный/минимальный сигнал наблюдается при направлении вектора поляризации вдоль/поперёк проволоки. Выполнено картирование наноФЛ отдельной нанопроволоки GaAs с пространственным разрешением 20 нм, что существенно меньше дифракционного предела. При переходе к нанометровым масштабам обнаружено плазмонное усиление сигнала ближнепольной экситонной наноФЛ, обусловленное металлизированной АСМ-иглой.",

author = "Калачев, {Иван Владимирович} and Ilya Milekhin and Емельянов, {Е. А.} and Преображенский, {В. В.} and Тумашев, {Виталий Сергеевич} and Латышев, {Александр Васильевич}",

note = "Калачев И.В., Милехин И.А., Емельянов Е.А., Преображенский В.В., Тумашев В.С., Милёхин А.Г., Латышев А.В. Спектроскопия комбинационного рассеяния света и фотолюминесценция нанопроволок GaAs // Автометрия. – 2023. – Т. 59. - № 6. – С. 3-11. Работа выполнена при поддержке Министерства науки и высшего образования РФ в рамках проекта № 075-15-2020-797 (13.1902.21.0024).",

year = "2023",

doi = "10.15372/AUT20230601",

language = "русский",

volume = "59",

pages = "3--11",

journal = "Автометрия",

issn = "0320-7102",

publisher = "ФГУП {"}Издательство СО РАН{"}",

number = "6",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - Спектроскопия комбинационного рассеяния света и фотолюминесценция нанопроволок GaAs

AU - Калачев, Иван Владимирович

AU - Milekhin, Ilya

AU - Емельянов, Е. А.

AU - Преображенский, В. В.

AU - Тумашев, Виталий Сергеевич

AU - Латышев, Александр Васильевич

N1 - Калачев И.В., Милехин И.А., Емельянов Е.А., Преображенский В.В., Тумашев В.С., Милёхин А.Г., Латышев А.В. Спектроскопия комбинационного рассеяния света и фотолюминесценция нанопроволок GaAs // Автометрия. – 2023. – Т. 59. - № 6. – С. 3-11. Работа выполнена при поддержке Министерства науки и высшего образования РФ в рамках проекта № 075-15-2020-797 (13.1902.21.0024).

PY - 2023

Y1 - 2023

N2 - Представлены экспериментальные данные по изучению фононных и оптических свойств нанопроволок GaAs ориентации (111), расположенных на золотой подложке с помощью методов спектроскопии комбинационного рассеяния света (КРС) и фотолюминесценции (ФЛ). Структурные параметры нанопроволок были определены методами атомно-силовой (АСМ) и сканирующей электронной микроскопии (СЭМ). В спектрах микроКРС и микроФЛ отдельной нанопроволоки GaAs наблюдаются моды оптических фононов GaAs и их обертонов, вплоть до третьего порядка, и полоса экситонной фотолюминесценции. В спектрах микроФЛ проявляется анизотропия интенсивности ФЛ в нанопроволоках, причём максимальный/минимальный сигнал наблюдается при направлении вектора поляризации вдоль/поперёк проволоки. Выполнено картирование наноФЛ отдельной нанопроволоки GaAs с пространственным разрешением 20 нм, что существенно меньше дифракционного предела. При переходе к нанометровым масштабам обнаружено плазмонное усиление сигнала ближнепольной экситонной наноФЛ, обусловленное металлизированной АСМ-иглой.

AB - Представлены экспериментальные данные по изучению фононных и оптических свойств нанопроволок GaAs ориентации (111), расположенных на золотой подложке с помощью методов спектроскопии комбинационного рассеяния света (КРС) и фотолюминесценции (ФЛ). Структурные параметры нанопроволок были определены методами атомно-силовой (АСМ) и сканирующей электронной микроскопии (СЭМ). В спектрах микроКРС и микроФЛ отдельной нанопроволоки GaAs наблюдаются моды оптических фононов GaAs и их обертонов, вплоть до третьего порядка, и полоса экситонной фотолюминесценции. В спектрах микроФЛ проявляется анизотропия интенсивности ФЛ в нанопроволоках, причём максимальный/минимальный сигнал наблюдается при направлении вектора поляризации вдоль/поперёк проволоки. Выполнено картирование наноФЛ отдельной нанопроволоки GaAs с пространственным разрешением 20 нм, что существенно меньше дифракционного предела. При переходе к нанометровым масштабам обнаружено плазмонное усиление сигнала ближнепольной экситонной наноФЛ, обусловленное металлизированной АСМ-иглой.

UR - https://www.elibrary.ru/item.asp?id=56568248

U2 - 10.15372/AUT20230601

DO - 10.15372/AUT20230601

M3 - статья

VL - 59

SP - 3

EP - 11

JO - Автометрия

JF - Автометрия

SN - 0320-7102

IS - 6

M1 - 1

ER -

ID: 59496119