TY - JOUR

T1 - Влияние плотности тока на структурные свойства тонких пленок аморфного субоксида кремния при электронно-пучковом отжиге

AU - Баранов, Евгений Александрович

AU - Непомнящих, Вячеслав Алексеевич

AU - Константинов , В.О.

AU - Щукин, В.Г.

AU - Меркулова, Ирина Евгеньевна

AU - Замчий, Александр Олегович

AU - Лунев, Никита Александрович

AU - Володин, Владимир Алексеевич

AU - Шаповалова, А.А.

N1 - Влияние плотности тока на структуру тонких пленок аморфного субоксида кремния при электронно-пучковом отжиге / Е. А. Баранов, В. А. Непомнящих, В. О. Константинов [и др.] // Прикладная механика и техническая физика. – 2023. – Т. 64, № 5(381). – С. 52-58. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского научного фонда (код проекта 22-79-10079) (диагностика тонких пленок) и в рамках государственного задания Института теплофизики СО РАН № AAAA-A19-119061490008-3 (синтез и отжиг тонких пленок). Синтез тонких пленок осуществлен с использованием уникальной научной установки "Вакуумный газодинамический комплекс" Института теплофизики СО РАН. Оборудование для регистрации спектров КРС предоставлено центром коллективного пользования "ВТАН" НГУ, оборудование для регистрации спектров в ИК-диапазоне - центром коллективного пользования Института неорганической химии СО РАН.

PY - 2023

Y1 - 2023

N2 - В вакуумной камере проведен электронно-пучковый отжиг тонкой пленки аморфного субоксида кремния со стехиометрическим коэффициентом, равным 0,5. Время экспозиции составило 10 мин при ускоряющем напряжении электронного пучка 1000 В и силе тока 75 мА. С помощью зондовых измерений и расчетов получено поперечное распределение плотности тока в пучке электронов, которое хорошо согласуется с нормальным распределением. Плотность тока на оси пучка составила 0,8 мА/мм2. Установлено, что в результате электронно-пучкового отжига тонкой пленки аморфного субоксида кремния формируются наночастицы кристаллического кремния размером 4,1 ± 0,1 нм. Размеры кристаллитов не зависят от плотности тока пучка электронов, в отличие от степени кристалличности, которая уменьшается с 40 % на оси пучка до нуля (аморфная структура) на периферии. Предполагается, что в процессе образования нанокристаллического кремния происходит формирование жидкой фазы.

AB - В вакуумной камере проведен электронно-пучковый отжиг тонкой пленки аморфного субоксида кремния со стехиометрическим коэффициентом, равным 0,5. Время экспозиции составило 10 мин при ускоряющем напряжении электронного пучка 1000 В и силе тока 75 мА. С помощью зондовых измерений и расчетов получено поперечное распределение плотности тока в пучке электронов, которое хорошо согласуется с нормальным распределением. Плотность тока на оси пучка составила 0,8 мА/мм2. Установлено, что в результате электронно-пучкового отжига тонкой пленки аморфного субоксида кремния формируются наночастицы кристаллического кремния размером 4,1 ± 0,1 нм. Размеры кристаллитов не зависят от плотности тока пучка электронов, в отличие от степени кристалличности, которая уменьшается с 40 % на оси пучка до нуля (аморфная структура) на периферии. Предполагается, что в процессе образования нанокристаллического кремния происходит формирование жидкой фазы.

KW - нанокристаллический кремний

KW - электронно-пучковый отжиг

KW - нестехиометрический оксид кремния

KW - плотность тока электронного пучка

UR - https://elibrary.ru/item.asp?id=54618672

U2 - 10.15372/PMTF202315332

DO - 10.15372/PMTF202315332

M3 - статья

VL - 64

SP - 52

EP - 58

JO - Прикладная механика и техническая физика

JF - Прикладная механика и техническая физика

SN - 0869-5032

IS - 5 (381)

M1 - 6

ER -