TY - PAT

T1 - Способ получения высокотемпературного сверхпроводящего слоя на подложке

AU - Васильев, Сергей Александрович

PY - 2023/3/13

Y1 - 2023/3/13

N2 - Изобретение относится к способу получения высокотемпературного сверхпроводящего монокристаллического слоя YBа2Cu3O7 на подложке из монокристаллического сапфира с ориентацией Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне). Упомянутую подложку располагают в металлическом держателе с возможностью расположения поверхности осаждения упомянутой подложки параллельно направлению распространения эрозионного факела и с возможностью скольжения факела по указанной поверхности осаждения. Металлический держатель выполняют охватывающим с фиксацией упомянутую подложку по периметру и с лепестками для улавливания заряда легких компонентов – электронов с возможностью последующего их транспорта с поверхности лепестков на указанную поверхность осаждения упомянутой подложки и рекомбинации с положительно заряженными тяжелыми компонентами – ионами. Осуществляют импульсное лазерное распыление мишени YBа2Cu3O7 и осаждение слоя сверхпроводящего материала YBа2Cu3O7 из эрозионного факела на нагретую до температуры от 750 до 850°С упомянутую подложку в камере осаждения в атмосфере кислорода. Проводят финальный отжиг в атмосфере кислорода в течение времени от 20 до 50 мин при температуре от 700 до 900°С и давлении кислорода от 0,9·105 до 1,2·105 Па. Обеспечивается формирование высококачественного монокристаллического слоя на ориентирующей подложке с низким значением тангенса угла диэлектрических потерь.

AB - Изобретение относится к способу получения высокотемпературного сверхпроводящего монокристаллического слоя YBа2Cu3O7 на подложке из монокристаллического сапфира с ориентацией Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне). Упомянутую подложку располагают в металлическом держателе с возможностью расположения поверхности осаждения упомянутой подложки параллельно направлению распространения эрозионного факела и с возможностью скольжения факела по указанной поверхности осаждения. Металлический держатель выполняют охватывающим с фиксацией упомянутую подложку по периметру и с лепестками для улавливания заряда легких компонентов – электронов с возможностью последующего их транспорта с поверхности лепестков на указанную поверхность осаждения упомянутой подложки и рекомбинации с положительно заряженными тяжелыми компонентами – ионами. Осуществляют импульсное лазерное распыление мишени YBа2Cu3O7 и осаждение слоя сверхпроводящего материала YBа2Cu3O7 из эрозионного факела на нагретую до температуры от 750 до 850°С упомянутую подложку в камере осаждения в атмосфере кислорода. Проводят финальный отжиг в атмосфере кислорода в течение времени от 20 до 50 мин при температуре от 700 до 900°С и давлении кислорода от 0,9·105 до 1,2·105 Па. Обеспечивается формирование высококачественного монокристаллического слоя на ориентирующей подложке с низким значением тангенса угла диэлектрических потерь.

KW - ВЫСОКОТМПЕРАТУРНАЯ СВЕРХПРОВОДИМОСТЬ

KW - ЛАЗЕРНОЕ НАПЫЛЕНИЕ

KW - МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ ПОДЛОЖКИ

KW - ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ РОСТ

KW - Y-BA-CU-O

M3 - патент на изобретение

M1 - 2791732

PB - Роспатент - Федеральная служба по интеллектуальной собственности

ER -