TY - PAT

T1 - Многоуровневая мемристорная структура на основе аморфного кремния

AU - Камаев, Геннадий Николаевич

AU - Володин, Владимир Алексеевич

AU - Чэн, Надя

PY - 2025/12/12

Y1 - 2025/12/12

N2 - Конструкция элемента резистивной памяти, имеющего структуру металл-изолятор-металл, обладающего эффектом переключения проводимости, выполнена таким образом, что между первым слоем металла и изолятором и между вторым слоем металла и изолятором содержится слой легированного аморфного кремния, а изолятор выполнен в виде многослойной структуры из нелегированного аморфного кремния, внутри которого дополнительно сформировано несколько слоев аморфного германия нанометровой толщины, чередующихся со слоями аморфного кремния нанометровой толщины. Технический результат заключается в получении эффекта переключения проводимости при наличии более двух стабильных резистивных состояний.

AB - Конструкция элемента резистивной памяти, имеющего структуру металл-изолятор-металл, обладающего эффектом переключения проводимости, выполнена таким образом, что между первым слоем металла и изолятором и между вторым слоем металла и изолятором содержится слой легированного аморфного кремния, а изолятор выполнен в виде многослойной структуры из нелегированного аморфного кремния, внутри которого дополнительно сформировано несколько слоев аморфного германия нанометровой толщины, чередующихся со слоями аморфного кремния нанометровой толщины. Технический результат заключается в получении эффекта переключения проводимости при наличии более двух стабильных резистивных состояний.

M3 - патент на полезную модель

M1 - 239675

Y2 - 2025/09/05

PB - Роспатент - Федеральная служба по интеллектуальной собственности

ER -