Способ получения элемента энергонезависимой резистивной памяти

Standard

Способ получения элемента энергонезависимой резистивной памяти. / Володин, Владимир Алексеевич (Author); Камаев, Геннадий Николаевич (Author); Чэн, Надя (Author).

Роспатент - Федеральная служба по интеллектуальной собственности. Patent No.: 2859309. Mar 31, 2026.

Research output: Patent › Patent for invention

Author

Володин, Владимир Алексеевич (Author) ; Камаев, Геннадий Николаевич (Author) ; Чэн, Надя (Author). / Способ получения элемента энергонезависимой резистивной памяти. Роспатент - Федеральная служба по интеллектуальной собственности. Patent No.: 2859309. Mar 31, 2026.

BibTeX

@misc{7d54e5428a65411eba6b459ff5fea9cc,

title = "Способ получения элемента энергонезависимой резистивной памяти",

abstract = "Изобретение относится к устройствам микро- и наноэлектроники. Способ создания элемента резистивной памяти характеризуется тем, что между первым слоем металла и изолятором и между вторым слоем металла и изолятором создается слой легированного аморфного кремния, изолятор выполняется в виде многослойной структуры из нелегированного аморфного кремния, внутри которого дополнительно сформировано 3-5 слоев аморфного германия нанометровой толщины, чередующихся с нанослоями аморфного кремния. Технический результат изобретения заключается в получении эффекта переключения проводимости при наличии более двух стабильных резистивных состояний.",

keywords = "РЕЗИСТИВНАЯ ПАМЯТЬ, АМОРФНЫЙ КРЕМНИЙ, АМОРФНЫЙ ГЕРМАНИЙ, МНОГОУРОВНЕВЫЙ МЕМРИСТОР",

author = "Володин, {Владимир Алексеевич} and Камаев, {Геннадий Николаевич} and Надя Чэн",

year = "2026",

month = mar,

day = "31",

language = "русский",

publisher = "Роспатент - Федеральная служба по интеллектуальной собственности",

address = "Российская Федерация",

type = "Patent",

note = "2859309",

}

RIS

TY - PAT

T1 - Способ получения элемента энергонезависимой резистивной памяти

AU - Володин, Владимир Алексеевич

AU - Камаев, Геннадий Николаевич

AU - Чэн, Надя

PY - 2026/3/31

Y1 - 2026/3/31

N2 - Изобретение относится к устройствам микро- и наноэлектроники. Способ создания элемента резистивной памяти характеризуется тем, что между первым слоем металла и изолятором и между вторым слоем металла и изолятором создается слой легированного аморфного кремния, изолятор выполняется в виде многослойной структуры из нелегированного аморфного кремния, внутри которого дополнительно сформировано 3-5 слоев аморфного германия нанометровой толщины, чередующихся с нанослоями аморфного кремния. Технический результат изобретения заключается в получении эффекта переключения проводимости при наличии более двух стабильных резистивных состояний.

AB - Изобретение относится к устройствам микро- и наноэлектроники. Способ создания элемента резистивной памяти характеризуется тем, что между первым слоем металла и изолятором и между вторым слоем металла и изолятором создается слой легированного аморфного кремния, изолятор выполняется в виде многослойной структуры из нелегированного аморфного кремния, внутри которого дополнительно сформировано 3-5 слоев аморфного германия нанометровой толщины, чередующихся с нанослоями аморфного кремния. Технический результат изобретения заключается в получении эффекта переключения проводимости при наличии более двух стабильных резистивных состояний.

KW - РЕЗИСТИВНАЯ ПАМЯТЬ

KW - АМОРФНЫЙ КРЕМНИЙ

KW - АМОРФНЫЙ ГЕРМАНИЙ

KW - МНОГОУРОВНЕВЫЙ МЕМРИСТОР

M3 - патент на изобретение

M1 - 2859309

Y2 - 2025/09/05

PB - Роспатент - Федеральная служба по интеллектуальной собственности

ER -

ID: 70273393