Standard

Установка высокого давления для выращивания кристаллов. / Галашов, Евгений Николаевич (Author).

Роспатент - Федеральная служба по интеллектуальной собственности. Patent No.: 144135. Oct 03, 2024.

Research output: Patent › Patent for industrial design

Harvard

Галашов, ЕН Oct. 03 2024, Установка высокого давления для выращивания кристаллов, Patent No. 144135. <https://new.fips.ru/registers-doc-view/fips_servlet?DB=RUDE&DocNumber=144135&TypeFile=html>

APA

Галашов, Е. Н. (2024). Установка высокого давления для выращивания кристаллов. (Patent No. 144135). Роспатент - Федеральная служба по интеллектуальной собственности. https://new.fips.ru/registers-doc-view/fips_servlet?DB=RUDE&DocNumber=144135&TypeFile=html

Vancouver

Галашов ЕН, inventor. Установка высокого давления для выращивания кристаллов. 144135. 2024 Oct 3.

Author

Галашов, Евгений Николаевич (Author). / Установка высокого давления для выращивания кристаллов. Роспатент - Федеральная служба по интеллектуальной собственности. Patent No.: 144135. Oct 03, 2024.

BibTeX

@misc{3d9c36cae264467eb9be09c58f94b4f5,
title = "Установка высокого давления для выращивания кристаллов",
author = "Галашов, {Евгений Николаевич}",
year = "2024",
month = oct,
day = "3",
language = "русский",
publisher = "Роспатент - Федеральная служба по интеллектуальной собственности",
type = "Patent",
note = "144135",

}

RIS

TY - PAT

T1 - Установка высокого давления для выращивания кристаллов

AU - Галашов, Евгений Николаевич

PY - 2024/10/3

Y1 - 2024/10/3

M3 - патент на промышленный образец

M1 - 144135

Y2 - 2023/12/16

PB - Роспатент - Федеральная служба по интеллектуальной собственности

ER -

ID: 59531817