Standard

Фоточувствительная поверхностно-барьерная структура. / Володин, Владимир Алексеевич (Author); Камаев, Геннадий Николаевич (Author); Хамуд, Гайсаа Аббас (Author).

Роспатент - Федеральная служба по интеллектуальной собственности. Patent No.: 228438. Aug 28, 2024.

Research output: PatentPatent for utility model

Harvard

APA

Володин, В. А., Камаев, Г. Н., & Хамуд, Г. А. (2024). Фоточувствительная поверхностно-барьерная структура. (Patent No. 228438). Роспатент - Федеральная служба по интеллектуальной собственности. https://new.fips.ru/registers-doc-view/fips_servlet?DB=RUPM&DocNumber=228438&TypeFile=html

Vancouver

Author

Володин, Владимир Алексеевич (Author) ; Камаев, Геннадий Николаевич (Author) ; Хамуд, Гайсаа Аббас (Author). / Фоточувствительная поверхностно-барьерная структура. Роспатент - Федеральная служба по интеллектуальной собственности. Patent No.: 228438. Aug 28, 2024.

BibTeX

@misc{810ee3a0d274466396c2778c221fc47b,
title = "Фоточувствительная поверхностно-барьерная структура",
abstract = "Полезная модель содержит кремниевую подложку, снабженную туннельно-тонким диэлектриком, выполненным из оксида кремния, и прозрачный для излучения проводящий электрод. Между туннельно-тонким диэлектриком и проводящим электродом содержится диэлектрический слой германо-силикатного стекла. Технический результат полезной модели заключается в получении фототока в широком спектральном диапазоне.",
author = "Володин, {Владимир Алексеевич} and Камаев, {Геннадий Николаевич} and Хамуд, {Гайсаа Аббас}",
year = "2024",
month = aug,
day = "28",
language = "русский",
publisher = "Роспатент - Федеральная служба по интеллектуальной собственности",
type = "Patent",
note = "228438",

}

RIS

TY - PAT

T1 - Фоточувствительная поверхностно-барьерная структура

AU - Володин, Владимир Алексеевич

AU - Камаев, Геннадий Николаевич

AU - Хамуд, Гайсаа Аббас

PY - 2024/8/28

Y1 - 2024/8/28

N2 - Полезная модель содержит кремниевую подложку, снабженную туннельно-тонким диэлектриком, выполненным из оксида кремния, и прозрачный для излучения проводящий электрод. Между туннельно-тонким диэлектриком и проводящим электродом содержится диэлектрический слой германо-силикатного стекла. Технический результат полезной модели заключается в получении фототока в широком спектральном диапазоне.

AB - Полезная модель содержит кремниевую подложку, снабженную туннельно-тонким диэлектриком, выполненным из оксида кремния, и прозрачный для излучения проводящий электрод. Между туннельно-тонким диэлектриком и проводящим электродом содержится диэлектрический слой германо-силикатного стекла. Технический результат полезной модели заключается в получении фототока в широком спектральном диапазоне.

M3 - патент на полезную модель

M1 - 228438

Y2 - 2024/07/18

PB - Роспатент - Федеральная служба по интеллектуальной собственности

ER -

ID: 60452030