11 - 12 out of 12Page size: 10
  1. 2025

  2. Influence of Ge nanolayers on the resistive switching effect in amorphous hydrogenated silicon based structures

    Чэн, Ю., Камаев, Г. Н., Попов, А. В. & Володин, В. А., May 2025, In: St. Petersburg State Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics. 18, S1.1, p. 134-139 6 p., 23.

    Research output: Contribution to journal › Conference article › peer-review

  3. Многоуровневая мемристорная структура на основе аморфного кремния

    Камаев, Г. Н., Володин, В. А. & Чэн, Н., 12 Dec 2025, Роспатент - Федеральная служба по интеллектуальной собственности, Patent No. 239675, 5 Sept 2025, Priority date 5 Sept 2025, Priority No. 2025124514

    Research output: Patent › Patent for utility model

Previous 1 2 Next

ID: 17021903