1. 2017
  2. The 2DEG mobility enhancement for low- and high-electric fields in a new type of AlGaAs/InGaAs heterostructures with donor-acceptor doping

    Protasov, D. Y., Gulyaev, D. V., Bakarov, A. K., Toropov, A. I. & Zhuravlev, K. S., 15 авг. 2017, в: Journal of Physics: Conference Series. 864, 1, 4 стр., 012051.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  3. A New Approach to the Synthesis of Benzo[ c ][1,7]naphthyridin-4(3 H)-ones

    Kulakov, I. V., Shatsauskas, A. L., Matsukevich, M. V., Palamarchuk, I. V., Seilkhanov, T. M., Gatilov, Y. V. & Fisyuk, A. S., 16 авг. 2017, в: Synthesis (Germany). 49, 16, стр. 3700-3709 10 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  4. Determination of the Spin and Parity of the Zc (3900)

    Belle Collaboration, 16 авг. 2017, в: Physical Review Letters. 119, 7, 7 стр., 072001.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  5. Nature of Bonding in Donor–Acceptor Interactions Exemplified by Complexes of N-Heterocyclic Carbenes with 1,2,5-Telluradiazoles

    Pushkarevsky, N. A., Petrov, P. A., Grigoriev, D. S., Smolentsev, A. I., Lee, L. M., Kleemiss, F., Salnikov, G. E., Konchenko, S. N., Vargas-Baca, I., Grabowsky, S., Beckmann, J. & Zibarev, A. V., 16 авг. 2017, в: Chemistry - A European Journal. 23, 46, стр. 10987-10991 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  6. TAIGA experiment: Present status and perspectives

    TAIGA Collaboration, 16 авг. 2017, в: Journal of Instrumentation. 12, 8, 13 стр., C08018.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  7. Terahertz photoconductivity of double acceptors in narrow gap HgCdTe epitaxial films grown by molecular beam epitaxy on GaAs(013) and Si(013) substrates

    Rumyantsev, V. V., Kozlov, D. V., Morozov, S. V., Fadeev, M. A., Kadykov, A. M., Teppe, F., Varavin, V. S., Yakushev, M. V., Mikhailov, N. N., Dvoretskii, S. A. & Gavrilenko, V. I., 16 авг. 2017, в: Semiconductor Science and Technology. 32, 9, 9 стр., 095007.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  8. A two-scale geostatistical approach for elastic properties estimation

    Lisitsa, V., Bazaikin, Y., Khachkova, T., Kolyukhin, D., Reshetova, G., Gurevich, B. & Lebedev, M., 17 авг. 2017, в: SEG Technical Program Expanded Abstracts. стр. 3706-3710 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатья по материалам конференцииРецензирование

  9. Defect-related luminescence in InAlAs on InP grown by molecular beam epitaxy

    Gilinsky, A. M., Dmitriev, D. V., Toropov, A. I. & Zhuravlev, K. S., 17 авг. 2017, в: Semiconductor Science and Technology. 32, 9, 8 стр., 095009.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  10. Fast RTM for contrast velocity models based on modeling in a running strip

    Smelov, A. S., Serdyukov, A. S. & Duchkov, A. A., 17 авг. 2017, в: SEG Technical Program Expanded Abstracts. стр. 5531-5535 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатья по материалам конференцииРецензирование

  11. Numerical study of fracture connectivity response in seismic wavefields

    Novikov, M., Caspari, E., Lisitsa, V., Quintal, B., Rubino, J. G. & Holliger, K., 17 авг. 2017, в: SEG Technical Program Expanded Abstracts. стр. 3786-3790 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатья по материалам конференцииРецензирование