Influence of growth temperature of KTiOAsO4single crystals on their physicochemical parameters and formation of domain structures › Обзор исследований

DOI

https://doi.org/10.1070/QEL17265
Конечная издательская версия

L. I. Isaenko
A. P. Eliseev
D. B. Kolker
V. N. Vedenyapin
S. A. Zhurkov
E. Yu Erushin
N. Yu Kostyukova
A. A. Boiko
V. Ya Shur
A. R. Akhmathanov
M. A. Chuvakova

Язык оригинала	английский
Страницы (с-по)	788-792
Число страниц	5
Журнал	Quantum Electronics
Том	50
Номер выпуска	8
DOI	https://doi.org/10.1070/QEL17265
Состояние	Опубликовано - 31 авг. 2020

Предметные области OECD FOS+WOS

ID: 25614320