Effect of Sn for the dislocation-free SiSn nanostructure formation on the vapor-liquid-crystal mechanism › Обзор исследований

Исследовательский портал НГУ

Effect of Sn for the dislocation-free SiSn nanostructure formation on the vapor-liquid-crystal mechanism

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

DOI

https://doi.org/10.1063/1.5139936
Конечная издательская версия

Vyacheslav Timofeev
Vladimir Mashanov
Alexander Nikiforov
Ilya Skvortsov
Tatyana Gavrilova
Dmitry Gulyaev
Anton Gutakovskii
Igor Chetyrin

Язык оригинала	английский
Номер статьи	015309
Число страниц	7
Журнал	AIP Advances
Том	10
Номер выпуска	1
DOI	https://doi.org/10.1063/1.5139936
Состояние	Опубликовано - 1 янв. 2020

Предметные области OECD FOS+WOS

ID: 23263613