Standard

Effect of illumination on positive magnetoresistance of high-mobility two-dimensional electron gas in GaAs/AlAs heterostructure. / Бетке, Игорь Андреевич; Стрыгин, Иван Сергеевич; Колосовский, Е.А. и др.

в: Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические науки Cанкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого ru, Том 18, № 1.1, 05.2025, стр. 159.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

Harvard

Бетке, ИА, Стрыгин, ИС, Колосовский, ЕА & Быков, АА 2025, 'Effect of illumination on positive magnetoresistance of high-mobility two-dimensional electron gas in GaAs/AlAs heterostructure', Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические науки Cанкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого ru, Том. 18, № 1.1, стр. 159. https://doi.org/10.18721/JPM.181.111

APA

Бетке, И. А., Стрыгин, И. С., Колосовский, Е. А., & Быков, А. А. (2025). Effect of illumination on positive magnetoresistance of high-mobility two-dimensional electron gas in GaAs/AlAs heterostructure. Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические науки Cанкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого ru, 18(1.1), 159. https://doi.org/10.18721/JPM.181.111

Vancouver

Бетке ИА, Стрыгин ИС, Колосовский ЕА, Быков АА. Effect of illumination on positive magnetoresistance of high-mobility two-dimensional electron gas in GaAs/AlAs heterostructure. Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические науки Cанкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого ru. 2025 май;18(1.1):159. doi: 10.18721/JPM.181.111

Author

Бетке, Игорь Андреевич ; Стрыгин, Иван Сергеевич ; Колосовский, Е.А. и др. / Effect of illumination on positive magnetoresistance of high-mobility two-dimensional electron gas in GaAs/AlAs heterostructure. в: Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические науки Cанкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого ru. 2025 ; Том 18, № 1.1. стр. 159.

BibTeX

@article{46ac1b1160b648b3a882b02ee47de05d,
title = "Effect of illumination on positive magnetoresistance of high-mobility two-dimensional electron gas in GaAs/AlAs heterostructure",
abstract = "In this paper, we study the effect of red LED illumination on the positive magnetoresistance of a high-mobility two-dimensional electron gas in a selectively doped GaAs/AlAs heterostructure at a temperature T = 4.2 K in magnetic fields B < 1 T. We observe a significant increase in the positive magnetoresistance as a result of illumination. It is shown that illumination-induced increase in the positive magnetoresistance in the two-dimensional electron system under study is due to an increase in the quantum lifetime.",
author = "Бетке, {Игорь Андреевич} and Стрыгин, {Иван Сергеевич} and Е.А. Колосовский and Быков, {Алексей Александрович}",
note = "The research was carried out within the framework of the state assignment of the A. V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics SB RAS. ",
year = "2025",
month = may,
doi = "10.18721/JPM.181.111",
language = "English",
volume = "18",
pages = "159",
journal = "Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические науки Cанкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого ru",
issn = "2304-9782",
publisher = "Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого",
number = "1.1",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - Effect of illumination on positive magnetoresistance of high-mobility two-dimensional electron gas in GaAs/AlAs heterostructure

AU - Бетке, Игорь Андреевич

AU - Стрыгин, Иван Сергеевич

AU - Колосовский, Е.А.

AU - Быков, Алексей Александрович

N1 - The research was carried out within the framework of the state assignment of the A. V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics SB RAS.

PY - 2025/5

Y1 - 2025/5

N2 - In this paper, we study the effect of red LED illumination on the positive magnetoresistance of a high-mobility two-dimensional electron gas in a selectively doped GaAs/AlAs heterostructure at a temperature T = 4.2 K in magnetic fields B < 1 T. We observe a significant increase in the positive magnetoresistance as a result of illumination. It is shown that illumination-induced increase in the positive magnetoresistance in the two-dimensional electron system under study is due to an increase in the quantum lifetime.

AB - In this paper, we study the effect of red LED illumination on the positive magnetoresistance of a high-mobility two-dimensional electron gas in a selectively doped GaAs/AlAs heterostructure at a temperature T = 4.2 K in magnetic fields B < 1 T. We observe a significant increase in the positive magnetoresistance as a result of illumination. It is shown that illumination-induced increase in the positive magnetoresistance in the two-dimensional electron system under study is due to an increase in the quantum lifetime.

UR - https://physmath.spbstu.ru/en/article/2025.79.11/

U2 - 10.18721/JPM.181.111

DO - 10.18721/JPM.181.111

M3 - Article

VL - 18

SP - 159

JO - Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические науки Cанкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого ru

JF - Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические науки Cанкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого ru

SN - 2304-9782

IS - 1.1

ER -

ID: 71518461