Standard

Фотолюминесценция гетероструктур Ge/Si с квантовыми точками, созданными в процессе эпитаксии из ионно-молекулярных пучков. / Смагина, Жанна; Зиновьев, Владимир ; Мудрый, А. В. и др.

в: Физика и техника полупроводников, 2025, стр. 55-59.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Harvard

Смагина, Ж, Зиновьев, В, Мудрый, АВ, Бородавченко, ОМ, Баженов, АО, Двуреченский, АВ & Живулько, ВД 2025, 'Фотолюминесценция гетероструктур Ge/Si с квантовыми точками, созданными в процессе эпитаксии из ионно-молекулярных пучков', Физика и техника полупроводников, стр. 55-59. https://doi.org/10.61011/FTP.2025.02.60977.7726

APA

Смагина, Ж., Зиновьев, В., Мудрый, А. В., Бородавченко, О. М., Баженов, А. О., Двуреченский, А. В., & Живулько, В. Д. (2025). Фотолюминесценция гетероструктур Ge/Si с квантовыми точками, созданными в процессе эпитаксии из ионно-молекулярных пучков. Физика и техника полупроводников, 55-59. https://doi.org/10.61011/FTP.2025.02.60977.7726

Vancouver

Смагина Ж, Зиновьев В, Мудрый АВ, Бородавченко ОМ, Баженов АО, Двуреченский АВ и др. Фотолюминесценция гетероструктур Ge/Si с квантовыми точками, созданными в процессе эпитаксии из ионно-молекулярных пучков. Физика и техника полупроводников. 2025;55-59. doi: 10.61011/FTP.2025.02.60977.7726

Author

Смагина, Жанна ; Зиновьев, Владимир ; Мудрый, А. В. и др. / Фотолюминесценция гетероструктур Ge/Si с квантовыми точками, созданными в процессе эпитаксии из ионно-молекулярных пучков. в: Физика и техника полупроводников. 2025 ; стр. 55-59.

BibTeX

@article{4dfb4f66be034f2983088c31a20e97cb,
title = "Фотолюминесценция гетероструктур Ge/Si с квантовыми точками, созданными в процессе эпитаксии из ионно-молекулярных пучков",
abstract = "Проведен сравнительный анализ структурных и люминесцентных характеристик наноструктур с квантовыми точками, созданными в процессе эпитаксии Ge на Si(100) в условиях облучения ионами Ge+ с энергией ~ 2 кэВ и без него. Установлено, что облучение ионами Ge+ в процессе гетероэпитаксии способствует увеличению интенсивности фотолюминесценции в 3 раза по сравнению со структурами, созданными без ионного облучения. Для облученных образцов обнаружено смещение максимума полосы фотолюминесценции GeSi квантовых точек на ~ 25 мэВ в низкоэнергетическую область. На основе анализа температурных зависимостей спектров фотолюминесценции в диапазоне 5-300 K определены энергии активации температурного гашения фотолюминесценции квантовых точек.",
keywords = "GESI КВАНТОВЫЕ ТОЧКИ, ЭПИТАКСИЯ, ИОННОЕ ОБЛУЧЕНИЕ, ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ",
author = "Жанна Смагина and Владимир Зиновьев and Мудрый, {А. В.} and Бородавченко, {О. М.} and Баженов, {Александр Олегович} and Двуреченский, {Анатолий Васильевич} and Живулько, {В. Д.}",
note = "Фотолюминесценция гетероструктур Ge/Si с квантовыми точками, созданными в процессе эпитаксии из ионно-молекулярных пучков / Ж. В. Смагина, В. А. Зиновьев, А. В. Мудрый [и др.] // Физика и техника полупроводников. – 2025. – Т. 59, № 2. – С. 55-59. – DOI 10.61011/FTP.2025.02.60977.7726. – EDN JLCHQM. Работа выполнена при финансовой поддержке РНФ (грант N 25-22-00424).",
year = "2025",
doi = "10.61011/FTP.2025.02.60977.7726",
language = "русский",
pages = "55--59",
journal = "Физика и техника полупроводников",
issn = "0015-3222",
publisher = "Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - Фотолюминесценция гетероструктур Ge/Si с квантовыми точками, созданными в процессе эпитаксии из ионно-молекулярных пучков

AU - Смагина, Жанна

AU - Зиновьев, Владимир

AU - Мудрый, А. В.

AU - Бородавченко, О. М.

AU - Баженов, Александр Олегович

AU - Двуреченский, Анатолий Васильевич

AU - Живулько, В. Д.

N1 - Фотолюминесценция гетероструктур Ge/Si с квантовыми точками, созданными в процессе эпитаксии из ионно-молекулярных пучков / Ж. В. Смагина, В. А. Зиновьев, А. В. Мудрый [и др.] // Физика и техника полупроводников. – 2025. – Т. 59, № 2. – С. 55-59. – DOI 10.61011/FTP.2025.02.60977.7726. – EDN JLCHQM. Работа выполнена при финансовой поддержке РНФ (грант N 25-22-00424).

PY - 2025

Y1 - 2025

N2 - Проведен сравнительный анализ структурных и люминесцентных характеристик наноструктур с квантовыми точками, созданными в процессе эпитаксии Ge на Si(100) в условиях облучения ионами Ge+ с энергией ~ 2 кэВ и без него. Установлено, что облучение ионами Ge+ в процессе гетероэпитаксии способствует увеличению интенсивности фотолюминесценции в 3 раза по сравнению со структурами, созданными без ионного облучения. Для облученных образцов обнаружено смещение максимума полосы фотолюминесценции GeSi квантовых точек на ~ 25 мэВ в низкоэнергетическую область. На основе анализа температурных зависимостей спектров фотолюминесценции в диапазоне 5-300 K определены энергии активации температурного гашения фотолюминесценции квантовых точек.

AB - Проведен сравнительный анализ структурных и люминесцентных характеристик наноструктур с квантовыми точками, созданными в процессе эпитаксии Ge на Si(100) в условиях облучения ионами Ge+ с энергией ~ 2 кэВ и без него. Установлено, что облучение ионами Ge+ в процессе гетероэпитаксии способствует увеличению интенсивности фотолюминесценции в 3 раза по сравнению со структурами, созданными без ионного облучения. Для облученных образцов обнаружено смещение максимума полосы фотолюминесценции GeSi квантовых точек на ~ 25 мэВ в низкоэнергетическую область. На основе анализа температурных зависимостей спектров фотолюминесценции в диапазоне 5-300 K определены энергии активации температурного гашения фотолюминесценции квантовых точек.

KW - GESI КВАНТОВЫЕ ТОЧКИ

KW - ЭПИТАКСИЯ

KW - ИОННОЕ ОБЛУЧЕНИЕ

KW - ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ

UR - https://elibrary.ru/item.asp?id=83896411

U2 - 10.61011/FTP.2025.02.60977.7726

DO - 10.61011/FTP.2025.02.60977.7726

M3 - статья

SP - 55

EP - 59

JO - Физика и техника полупроводников

JF - Физика и техника полупроводников

SN - 0015-3222

ER -

ID: 74616275