Standard

Компенсированный высокоомный буфер для GaN HEMT. / Malin, T. V.; Milakhin, D. S.; Aleksandrov, Ivan A. и др.

в: Электроника и микроэлектроника СВЧ», Том 1, № 1, 2019, стр. 44-48.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › тезисы › Рецензирование

Harvard

Malin, TV, Milakhin, DS, Aleksandrov, IA, Zemlyakov, VE, Protasov, DY, Kozhuhov, AS, Ber, BY, Mansurov, VG & Журавлев, КС 2019, 'Компенсированный высокоомный буфер для GaN HEMT', Электроника и микроэлектроника СВЧ», Том. 1, № 1, стр. 44-48. <http://www.mwelectronics.ru/2019/Papers/044-048.pdf>

APA

Malin, T. V., Milakhin, D. S., Aleksandrov, I. A., Zemlyakov, V. E., Protasov, D. Y., Kozhuhov, A. S., Ber, B. Y., Mansurov, V. G., & Журавлев, К. С. (2019). Компенсированный высокоомный буфер для GaN HEMT. Электроника и микроэлектроника СВЧ», 1(1), 44-48. http://www.mwelectronics.ru/2019/Papers/044-048.pdf

Vancouver

Malin TV, Milakhin DS, Aleksandrov IA, Zemlyakov VE, Protasov DY, Kozhuhov AS и др. Компенсированный высокоомный буфер для GaN HEMT. Электроника и микроэлектроника СВЧ». 2019;1(1):44-48.

Author

Malin, T. V. ; Milakhin, D. S. ; Aleksandrov, Ivan A. и др. / Компенсированный высокоомный буфер для GaN HEMT. в: Электроника и микроэлектроника СВЧ». 2019 ; Том 1, № 1. стр. 44-48.

BibTeX

@article{3021998075a241f484877a109ed58ba0,
title = "Компенсированный высокоомный буфер для GaN HEMT",
abstract = "В данной работе продемонстрирована возможность получения методом аммиачной молекулярно лучевой эпитаксией намеренно нелегированных высокоомных буферных слоёв GaN в AlGaN/GaN гетероструктурах с высокой подвижностью электронов для транзисторов путём оптимизации ростовых условий на основании расчётов концентраций фоновых примесей и точечных дефектов для различных соотношений потоков галлия и аммиака",
author = "Malin, {T. V.} and Milakhin, {D. S.} and Aleksandrov, {Ivan A.} and Zemlyakov, {V. E.} and Protasov, {D. Yu} and Kozhuhov, {A. S.} and Ber, {B. Ya} and Mansurov, {V. G.} and Журавлев, {Константин Сергеевич}",
note = "Малин Т.В., Милахин Д.С., Александров И.А., Земляков В.Е., Протасов Д.Ю., Кожухов А.С., Бер Б.Я., Мансуров В.Г., Журавлёв К.С. Компенсированный высокоомный буфер для GaN HEMT // Электроника и микроэлектроника СВЧ». - 2019. - Т. 1. - № 1. - С. 44-48",
year = "2019",
language = "русский",
volume = "1",
pages = "44--48",
journal = "Электроника и микроэлектроника СВЧ»",
publisher = "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» имени В. И. Ульянова (Ленина)",
number = "1",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - Компенсированный высокоомный буфер для GaN HEMT

AU - Malin, T. V.

AU - Milakhin, D. S.

AU - Aleksandrov, Ivan A.

AU - Zemlyakov, V. E.

AU - Protasov, D. Yu

AU - Kozhuhov, A. S.

AU - Ber, B. Ya

AU - Mansurov, V. G.

AU - Журавлев, Константин Сергеевич

N1 - Малин Т.В., Милахин Д.С., Александров И.А., Земляков В.Е., Протасов Д.Ю., Кожухов А.С., Бер Б.Я., Мансуров В.Г., Журавлёв К.С. Компенсированный высокоомный буфер для GaN HEMT // Электроника и микроэлектроника СВЧ». - 2019. - Т. 1. - № 1. - С. 44-48

PY - 2019

Y1 - 2019

N2 - В данной работе продемонстрирована возможность получения методом аммиачной молекулярно лучевой эпитаксией намеренно нелегированных высокоомных буферных слоёв GaN в AlGaN/GaN гетероструктурах с высокой подвижностью электронов для транзисторов путём оптимизации ростовых условий на основании расчётов концентраций фоновых примесей и точечных дефектов для различных соотношений потоков галлия и аммиака

AB - В данной работе продемонстрирована возможность получения методом аммиачной молекулярно лучевой эпитаксией намеренно нелегированных высокоомных буферных слоёв GaN в AlGaN/GaN гетероструктурах с высокой подвижностью электронов для транзисторов путём оптимизации ростовых условий на основании расчётов концентраций фоновых примесей и точечных дефектов для различных соотношений потоков галлия и аммиака

UR - https://elibrary.ru/item.asp?id=39539401

M3 - тезисы

VL - 1

SP - 44

EP - 48

JO - Электроника и микроэлектроника СВЧ»

JF - Электроника и микроэлектроника СВЧ»

IS - 1

ER -

ID: 22387957