Усиление фототока в кремниевых фотодиодах с квантовыми точками Ge гибридными плазмонными и диэлектрическими модами планарного волновода

Standard

Усиление фототока в кремниевых фотодиодах с квантовыми точками Ge гибридными плазмонными и диэлектрическими модами планарного волновода. / Якимов, А.И.; Кириенко, В.В.; Блошкин, Алексей Александрович и др.

в: Физика и техника полупроводников, Том 58, № 7, 24.09.2024, стр. 386-392.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

BibTeX

@article{a31281def526492a8624e264639578d0,

title = "Усиление фототока в кремниевых фотодиодах с квантовыми точками Ge гибридными плазмонными и диэлектрическими модами планарного волновода",

abstract = "Исследованы спектральные характеристики фототока в вертикальных Ge/Si-фотодиодах с квантовыми точками Ge, встроенными в планарный волновод и сопряженными с плазмонной структурой на поверхности фотодиода. Двумерная регулярная решетка круглых отверстий в алюминиевой пленке выступала в качестве плазмонной метаповерхности, позволяющей преобразовать внешнее электромагнитное излучение в поверхностные плазмонные моды на границе Al-Si. Диаметр отверстий --- 300 нм, период --- 600 нм. В области длин волн ~ 2 мкм обнаружена серия оптических резонансов, приводящих к многократному усилению фототока по сравнению с образцами без перфорированной пленки Al. Установлено, что максимальное усиление фототока (до 8 раз) обеспечивается гибридными волнами, представляющими собой суперпозицию плазмонной и диэлектрической волноводных мод.",

author = "А.И. Якимов and В.В. Кириенко and Блошкин, {Алексей Александрович} and Двуреченский, {Анатолий Васильевич} and Dmitry Utkin",

year = "2024",

month = sep,

day = "24",

doi = "10.61011/FTP.2024.07.59183.6952",

language = "русский",

volume = "58",

pages = " 386--392",

journal = "Физика и техника полупроводников",

issn = "0015-3222",

publisher = "Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук",

number = "7",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - Усиление фототока в кремниевых фотодиодах с квантовыми точками Ge гибридными плазмонными и диэлектрическими модами планарного волновода

AU - Якимов, А.И.

AU - Кириенко, В.В.

AU - Блошкин, Алексей Александрович

AU - Двуреченский, Анатолий Васильевич

AU - Utkin, Dmitry

PY - 2024/9/24

Y1 - 2024/9/24

N2 - Исследованы спектральные характеристики фототока в вертикальных Ge/Si-фотодиодах с квантовыми точками Ge, встроенными в планарный волновод и сопряженными с плазмонной структурой на поверхности фотодиода. Двумерная регулярная решетка круглых отверстий в алюминиевой пленке выступала в качестве плазмонной метаповерхности, позволяющей преобразовать внешнее электромагнитное излучение в поверхностные плазмонные моды на границе Al-Si. Диаметр отверстий --- 300 нм, период --- 600 нм. В области длин волн ~ 2 мкм обнаружена серия оптических резонансов, приводящих к многократному усилению фототока по сравнению с образцами без перфорированной пленки Al. Установлено, что максимальное усиление фототока (до 8 раз) обеспечивается гибридными волнами, представляющими собой суперпозицию плазмонной и диэлектрической волноводных мод.

AB - Исследованы спектральные характеристики фототока в вертикальных Ge/Si-фотодиодах с квантовыми точками Ge, встроенными в планарный волновод и сопряженными с плазмонной структурой на поверхности фотодиода. Двумерная регулярная решетка круглых отверстий в алюминиевой пленке выступала в качестве плазмонной метаповерхности, позволяющей преобразовать внешнее электромагнитное излучение в поверхностные плазмонные моды на границе Al-Si. Диаметр отверстий --- 300 нм, период --- 600 нм. В области длин волн ~ 2 мкм обнаружена серия оптических резонансов, приводящих к многократному усилению фототока по сравнению с образцами без перфорированной пленки Al. Установлено, что максимальное усиление фототока (до 8 раз) обеспечивается гибридными волнами, представляющими собой суперпозицию плазмонной и диэлектрической волноводных мод.

U2 - 10.61011/FTP.2024.07.59183.6952

DO - 10.61011/FTP.2024.07.59183.6952

M3 - статья

VL - 58

SP - 386

EP - 392

JO - Физика и техника полупроводников

JF - Физика и техника полупроводников

SN - 0015-3222

IS - 7

ER -

ID: 61279872