Резистивный материал на основе нанокомпозитов со структурой "ядро в оболочке", состава MO2C/LaCoO3:Ni,Zn,Sr для SMD-резисторов с низким ТКС

Standard

Резистивный материал на основе нанокомпозитов со структурой "ядро в оболочке", состава MO2C/LaCoO3:Ni,Zn,Sr для SMD-резисторов с низким ТКС. / Галашов, Евгений Николаевич (автор).

Новосибирский государственный университет. Номер патента: 88. окт. 27, 2023.

Результаты исследований: Патенты/Свидетельства о регистрации › свидетельство о регистрации ноу-хау

BibTeX

@misc{ca715d3e21ca432bb8fb7b1987b7b70f,

title = "Резистивный материал на основе нанокомпозитов со структурой {"}ядро в оболочке{"}, состава MO2C/LaCoO3:Ni,Zn,Sr для SMD-резисторов с низким ТКС",

keywords = "МИКРОЭЛЕКТРОНИКА, ЧИП-РЕЗИСТОРЫ, НИЗКИЙ ТКС, РЕЗИСТИВНЫЕ ПАСТЫ",

author = "Галашов, {Евгений Николаевич}",

year = "2023",

month = oct,

day = "27",

language = "русский",

publisher = "Новосибирский государственный университет",

address = "Российская Федерация",

type = "Patent",

note = "88",

}

RIS

TY - PAT

T1 - Резистивный материал на основе нанокомпозитов со структурой "ядро в оболочке", состава MO2C/LaCoO3:Ni,Zn,Sr для SMD-резисторов с низким ТКС

AU - Галашов, Евгений Николаевич

PY - 2023/10/27

Y1 - 2023/10/27

KW - МИКРОЭЛЕКТРОНИКА

KW - ЧИП-РЕЗИСТОРЫ

KW - НИЗКИЙ ТКС

KW - РЕЗИСТИВНЫЕ ПАСТЫ

M3 - свидетельство о регистрации ноу-хау

M1 - 88

PB - Новосибирский государственный университет

ER -

ID: 59501683