Standard

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ГЛУБИНЫ ПРОНИКНОВЕНИЯ ПОЛЯ ТЕРАГЕРЦОВЫХ ПОВЕРХНОСТНЫХ ПЛАЗМОНОВ В ОКРУЖАЮЩУЮ СРЕДУ. / Князев, Борис Александрович (автор); Герасимов, Василий Валерьевич (автор); Никитин, Алексей Константинович (автор).

Роспатент - Федеральная служба по интеллектуальной собственности. Номер патента: 2491533. авг. 27, 2013.

Результаты исследований: Патенты/Свидетельства о регистрациипатент на изобретение

Harvard

APA

Князев, Б. А., Герасимов, В. В., & Никитин, А. К. (2013). СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ГЛУБИНЫ ПРОНИКНОВЕНИЯ ПОЛЯ ТЕРАГЕРЦОВЫХ ПОВЕРХНОСТНЫХ ПЛАЗМОНОВ В ОКРУЖАЮЩУЮ СРЕДУ. (Номер патента 2491533). Роспатент - Федеральная служба по интеллектуальной собственности. https://www1.fips.ru/registers-doc-view/fips_servlet?DB=RUPAT&DocNumber=2491533&TypeFile=html

Vancouver

Author

Князев, Борис Александрович (автор) ; Герасимов, Василий Валерьевич (автор) ; Никитин, Алексей Константинович (автор). / СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ГЛУБИНЫ ПРОНИКНОВЕНИЯ ПОЛЯ ТЕРАГЕРЦОВЫХ ПОВЕРХНОСТНЫХ ПЛАЗМОНОВ В ОКРУЖАЮЩУЮ СРЕДУ. Роспатент - Федеральная служба по интеллектуальной собственности. Номер патента: 2491533. авг. 27, 2013.

BibTeX

@misc{5648c2137b2a4afeb0f5b3fd12287575,
title = "СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ГЛУБИНЫ ПРОНИКНОВЕНИЯ ПОЛЯ ТЕРАГЕРЦОВЫХ ПОВЕРХНОСТНЫХ ПЛАЗМОНОВ В ОКРУЖАЮЩУЮ СРЕДУ",
abstract = "Изобретение относится к оптическим методам контроля поверхности металлов и полупроводников в терагерцовом диапазоне спектра и может найти применение в технологических процессах для контроля толщины и однородности тонкослойных покрытий металлизированных изделий и полупроводниковых подложек, в методах по обнаружению неоднородностей (на) проводящей поверхности, в инфракрасной (ИК) рефрактометрии металлов для определения их диэлектрической проницаемости, в ИК сенсорных устройствах и контрольно-измерительной технике. Способ включает измерение интенсивности поля поверхностных плазмонов (ПН) в плоскости падения излучения, генерирующего пучок лучей ПП, и расчет значения 5 по результатам измерений, для чего ПП преобразуют в объемную волну на линии фронта, принадлежащей выбранной плоскости поперечного сечения пучка, фокусируют волну в линию, лежащую в плоскости падения, и измеряют распределение интенсивности излучения на этой линии и угол наклона лучей волны к поверхности, направляющей ПП. Изобретение позволяет уменьшить время измерений.",
author = "Князев, {Борис Александрович} and Герасимов, {Василий Валерьевич} and Никитин, {Алексей Константинович}",
year = "2013",
month = aug,
day = "27",
language = "русский",
publisher = "Роспатент - Федеральная служба по интеллектуальной собственности",
type = "Patent",
note = "2491533; G01N21/55",

}

RIS

TY - PAT

T1 - СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ГЛУБИНЫ ПРОНИКНОВЕНИЯ ПОЛЯ ТЕРАГЕРЦОВЫХ ПОВЕРХНОСТНЫХ ПЛАЗМОНОВ В ОКРУЖАЮЩУЮ СРЕДУ

AU - Князев, Борис Александрович

AU - Герасимов, Василий Валерьевич

AU - Никитин, Алексей Константинович

PY - 2013/8/27

Y1 - 2013/8/27

N2 - Изобретение относится к оптическим методам контроля поверхности металлов и полупроводников в терагерцовом диапазоне спектра и может найти применение в технологических процессах для контроля толщины и однородности тонкослойных покрытий металлизированных изделий и полупроводниковых подложек, в методах по обнаружению неоднородностей (на) проводящей поверхности, в инфракрасной (ИК) рефрактометрии металлов для определения их диэлектрической проницаемости, в ИК сенсорных устройствах и контрольно-измерительной технике. Способ включает измерение интенсивности поля поверхностных плазмонов (ПН) в плоскости падения излучения, генерирующего пучок лучей ПП, и расчет значения 5 по результатам измерений, для чего ПП преобразуют в объемную волну на линии фронта, принадлежащей выбранной плоскости поперечного сечения пучка, фокусируют волну в линию, лежащую в плоскости падения, и измеряют распределение интенсивности излучения на этой линии и угол наклона лучей волны к поверхности, направляющей ПП. Изобретение позволяет уменьшить время измерений.

AB - Изобретение относится к оптическим методам контроля поверхности металлов и полупроводников в терагерцовом диапазоне спектра и может найти применение в технологических процессах для контроля толщины и однородности тонкослойных покрытий металлизированных изделий и полупроводниковых подложек, в методах по обнаружению неоднородностей (на) проводящей поверхности, в инфракрасной (ИК) рефрактометрии металлов для определения их диэлектрической проницаемости, в ИК сенсорных устройствах и контрольно-измерительной технике. Способ включает измерение интенсивности поля поверхностных плазмонов (ПН) в плоскости падения излучения, генерирующего пучок лучей ПП, и расчет значения 5 по результатам измерений, для чего ПП преобразуют в объемную волну на линии фронта, принадлежащей выбранной плоскости поперечного сечения пучка, фокусируют волну в линию, лежащую в плоскости падения, и измеряют распределение интенсивности излучения на этой линии и угол наклона лучей волны к поверхности, направляющей ПП. Изобретение позволяет уменьшить время измерений.

M3 - патент на изобретение

M1 - 2491533

PB - Роспатент - Федеральная служба по интеллектуальной собственности

ER -

ID: 27085097