Теория флеш-памяти на основе двумерного вигнеровского кластера

Standard

Теория флеш-памяти на основе двумерного вигнеровского кластера. / Махмудиан, Мехрдад Махмудович ; Махмудиан, Махмуд Максуд; Энтин, Матвей Вульфович.

в: Физика твердого тела , Том 67, № 9, 25, 2025, стр. 1798-1801.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

BibTeX

@article{cb44820bcef94845be36048150756e51,

title = "Теория флеш-памяти на основе двумерного вигнеровского кластера",

abstract = "Современная флеш-память работает за счет удержания (захвата) электронов на ловушках в диэлектрике, что приводит к изменению сопротивления двумерного канала полупроводника. В данной работе численно изучается структурное упорядочение —- вигнеровская кристаллизация локализованных электронов на глубоких ловушках. Угловая функция распределения этих электронов подтверждает их вигнеровскую локализацию.",

keywords = "ВИГНЕРОВСКИЙ КЛАСТЕР, ФЛЕШ-ПАМЯТЬ, ЛОКАЛИЗОВАННЫЕ ЭЛЕКТРОНЫ, УГЛОВАЯ ФУНКЦИЯ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ, WIGNER CLUSTER, FLASH MEMORY, LOCALIZED ELECTRONS, ANGULAR DISTRIBUTION FUNCTION",

author = "Махмудиан, {Мехрдад Махмудович} and Махмудиан, {Махмуд Максуд} and Энтин, {Матвей Вульфович}",

note = "Теория флеш-памяти на основе двумерного вигнеровского кластера / М.М. Махмудиан, М.М. Махмудиан, М.В. Энтин // Физика твердого тела. – 2025. – Т. 67. - № 9. – С. 1798-1801. – DOI 10.61011/FTT.2025.09.61635.3-25. – EDN WSSNOL. Работа выполнена при поддержке гранта Российского научного фонда N 25-12-00022.",

year = "2025",

doi = "10.61011/FTT.2025.09.61635.3-25",

language = "русский",

volume = "67",

pages = "1798--1801",

journal = "Физика твердого тела ",

issn = "0367-3294",

publisher = "Nauka Publishers",

number = "9",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - Теория флеш-памяти на основе двумерного вигнеровского кластера

AU - Махмудиан, Мехрдад Махмудович

AU - Махмудиан, Махмуд Максуд

AU - Энтин, Матвей Вульфович

N1 - Теория флеш-памяти на основе двумерного вигнеровского кластера / М.М. Махмудиан, М.М. Махмудиан, М.В. Энтин // Физика твердого тела. – 2025. – Т. 67. - № 9. – С. 1798-1801. – DOI 10.61011/FTT.2025.09.61635.3-25. – EDN WSSNOL. Работа выполнена при поддержке гранта Российского научного фонда N 25-12-00022.

PY - 2025

Y1 - 2025

N2 - Современная флеш-память работает за счет удержания (захвата) электронов на ловушках в диэлектрике, что приводит к изменению сопротивления двумерного канала полупроводника. В данной работе численно изучается структурное упорядочение —- вигнеровская кристаллизация локализованных электронов на глубоких ловушках. Угловая функция распределения этих электронов подтверждает их вигнеровскую локализацию.

AB - Современная флеш-память работает за счет удержания (захвата) электронов на ловушках в диэлектрике, что приводит к изменению сопротивления двумерного канала полупроводника. В данной работе численно изучается структурное упорядочение —- вигнеровская кристаллизация локализованных электронов на глубоких ловушках. Угловая функция распределения этих электронов подтверждает их вигнеровскую локализацию.

KW - ВИГНЕРОВСКИЙ КЛАСТЕР

KW - ФЛЕШ-ПАМЯТЬ

KW - ЛОКАЛИЗОВАННЫЕ ЭЛЕКТРОНЫ

KW - УГЛОВАЯ ФУНКЦИЯ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ

KW - WIGNER CLUSTER

KW - FLASH MEMORY

KW - LOCALIZED ELECTRONS

KW - ANGULAR DISTRIBUTION FUNCTION

UR - https://www.elibrary.ru/item.asp?id=87631980

U2 - 10.61011/FTT.2025.09.61635.3-25

DO - 10.61011/FTT.2025.09.61635.3-25

M3 - статья

VL - 67

SP - 1798

EP - 1801

JO - Физика твердого тела

JF - Физика твердого тела

SN - 0367-3294

IS - 9

M1 - 25

ER -

ID: 74352276