TY - JOUR

T1 - Монокристаллы халькогенидов для полупроводниковых детекторов нейтронного излучения

AU - Курусь, Алексей Федорович

AU - Исаенко, Людмила Ивановна

AU - Елисеев, Александр Павлович

AU - Лобанов, Сергей Иванович

AU - Криницын, Павел Геннадьевич

AU - Коржнева, Ксения Евгеньевна

AU - Тарасова, Александра Юрьевна

N1 - Курусь А.Ф., Исаенко Л.И., Елисеев А.П., Лобанов С.И., Криницын П.Г., Коржнева К.Е., Тарасова А.Ю. Монокристаллы халькогенидов для полупроводниковых детекторов нейтронного излучения // Фундаментальные проблемы современного материаловедения. - 2019. - Т. 16. - № 1. - С. 16-21. Работа выполнена в рамках государственного задания, проект № 0330 - 2016 - 0008 и при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант №17-45-540775).

PY - 2019

Y1 - 2019

N2 - В работе исследованы новые халькогенидные литийсодержащие кристаллы, предназначенные для перспективных полупроводниковых детекторов нейтронного излучений. Оптимизированы условия синтеза и выращивания кристаллов LiInSe2, и LiGa0.5In0.5Se2. Рост кристаллов LiInSe2, LiGa0.5In0.5Se2 осуществлялся методом Бриджмена-Стокбаргера в вертикальном варианте. Осложняющим обстоятельством был тот факт, что выше температуры плавления наблюдался процесс инконгруэнтного испарения соединений, компоненты с высоким парциальным давлением Ga(In)2Se3 мигрировали из расплава в свободную полость ампул. Чтобы предотвратить отклонение от стехиометрического состава кристалла, в ампулах создавалось избыточное давление Ar. Выращенные кристаллы достигали диаметра 20 мм при длине до 50 мм. Изучены вольтамперные характеристики и амплитудные сигналы при облучении полупроводников тепловыми и быстрыми нейтронами, получены значения электросопротивления кристаллов в диапазоне от 1011 до 1012 Ом. Характеризация выращенных кристаллов осуществлялась методами оптической спектроскопии. Оценена ширина запрещенной зоны Eg. Спектры фотолюминесценции (ФЛ) кристаллов LiGa0.5In0.5Se2, полученные при 80 К при возбуждении фотонами с энергией 3.1, 2.75 и 2.48 эВ демонстрировали свечение в двух основных диапазонах 1.5÷2.0 эВ и 1.1÷1.4 эВ

AB - В работе исследованы новые халькогенидные литийсодержащие кристаллы, предназначенные для перспективных полупроводниковых детекторов нейтронного излучений. Оптимизированы условия синтеза и выращивания кристаллов LiInSe2, и LiGa0.5In0.5Se2. Рост кристаллов LiInSe2, LiGa0.5In0.5Se2 осуществлялся методом Бриджмена-Стокбаргера в вертикальном варианте. Осложняющим обстоятельством был тот факт, что выше температуры плавления наблюдался процесс инконгруэнтного испарения соединений, компоненты с высоким парциальным давлением Ga(In)2Se3 мигрировали из расплава в свободную полость ампул. Чтобы предотвратить отклонение от стехиометрического состава кристалла, в ампулах создавалось избыточное давление Ar. Выращенные кристаллы достигали диаметра 20 мм при длине до 50 мм. Изучены вольтамперные характеристики и амплитудные сигналы при облучении полупроводников тепловыми и быстрыми нейтронами, получены значения электросопротивления кристаллов в диапазоне от 1011 до 1012 Ом. Характеризация выращенных кристаллов осуществлялась методами оптической спектроскопии. Оценена ширина запрещенной зоны Eg. Спектры фотолюминесценции (ФЛ) кристаллов LiGa0.5In0.5Se2, полученные при 80 К при возбуждении фотонами с энергией 3.1, 2.75 и 2.48 эВ демонстрировали свечение в двух основных диапазонах 1.5÷2.0 эВ и 1.1÷1.4 эВ

UR - https://elibrary.ru/item.asp?id=37239597

U2 - 10.25712/ASTU.1811-1416.2019.01.002

DO - 10.25712/ASTU.1811-1416.2019.01.002

M3 - статья

VL - 16

SP - 16

EP - 21

JO - Фундаментальные проблемы современного материаловедения

JF - Фундаментальные проблемы современного материаловедения

SN - 1811-1416

IS - 1

M1 - 2

ER -