Standard

Полупроводниковые наноструктуры для квантовых технологий (обзор). / Aseev, A. L.

в: Сибирский физический журнал, Том 20, № 2, 5, 2025, стр. 68-88.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхобзорная статьяРецензирование

Harvard

APA

Vancouver

Aseev AL. Полупроводниковые наноструктуры для квантовых технологий (обзор). Сибирский физический журнал. 2025;20(2):68-88. 5. doi: 10.25205/2541-9447-2025-20-2-68-88

Author

Aseev, A. L. / Полупроводниковые наноструктуры для квантовых технологий (обзор). в: Сибирский физический журнал. 2025 ; Том 20, № 2. стр. 68-88.

BibTeX

@article{422f1a4bf7704986b953fd13f6cd601b,
title = "Полупроводниковые наноструктуры для квантовых технологий (обзор)",
abstract = "Рассмотрены примеры разработки и применения полупроводниковых наноструктур для реализации квантовых технологий при решении задач развития современных информационных и телекоммуникационных технологий. В их числе: гетеропереходные полевые транзисторы с высокой подвижностью электронов; многоэлементные матричные фотоприемники инфракрасного диапазона на многослойных гетероструктурах с квантовыми ямами; квантовые каскадные лазеры; полупроводниковые лазеры с вертикальным резонатором; источники одиночных и запутанных фотонов с квантовыми точками в активной области; спиновые структуры в эпитаксиальной системе «германий - кремний» с квантовыми точками. Ожидается применение полупроводниковых наноструктур в новых областях полупроводниковой электроники, таких как разработка универсальной памяти, нейропроцессоры, спинтроника, квантовые вычислители и квантовая криптография, элементы СВЧ и терагерцевой электроники, оптоэлектроники и радиофотоники, устройства теплового и ночного видения.",
keywords = "НАНОТЕХНОЛОГИИ, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ НАНОСТРУКТУРЫ, КВАНТОВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ, ИК-ФОТОПРИЕМНИКИ, СВЧ-ЭЛЕКТРОНИКА, Nanotechnology, semiconductor nanostructures, quantum technologies, IR photodetectors, microwave electronics",
author = "Aseev, {A. L.}",
note = "Асеев А.Л. Полупроводниковые наноструктуры для квантовых технологий (обзор) // Сибирский физический журнал. – 2025. – Т. 20. - № 2. – С. 68-88. – DOI 10.25205/2541-9447-2025-20-2-68-88. – EDN HJPSNJ.",
year = "2025",
doi = "10.25205/2541-9447-2025-20-2-68-88",
language = "русский",
volume = "20",
pages = "68--88",
journal = "Сибирский физический журнал",
issn = "2541-9447",
publisher = "Редакционно-издательский центр НГУ",
number = "2",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - Полупроводниковые наноструктуры для квантовых технологий (обзор)

AU - Aseev, A. L.

N1 - Асеев А.Л. Полупроводниковые наноструктуры для квантовых технологий (обзор) // Сибирский физический журнал. – 2025. – Т. 20. - № 2. – С. 68-88. – DOI 10.25205/2541-9447-2025-20-2-68-88. – EDN HJPSNJ.

PY - 2025

Y1 - 2025

N2 - Рассмотрены примеры разработки и применения полупроводниковых наноструктур для реализации квантовых технологий при решении задач развития современных информационных и телекоммуникационных технологий. В их числе: гетеропереходные полевые транзисторы с высокой подвижностью электронов; многоэлементные матричные фотоприемники инфракрасного диапазона на многослойных гетероструктурах с квантовыми ямами; квантовые каскадные лазеры; полупроводниковые лазеры с вертикальным резонатором; источники одиночных и запутанных фотонов с квантовыми точками в активной области; спиновые структуры в эпитаксиальной системе «германий - кремний» с квантовыми точками. Ожидается применение полупроводниковых наноструктур в новых областях полупроводниковой электроники, таких как разработка универсальной памяти, нейропроцессоры, спинтроника, квантовые вычислители и квантовая криптография, элементы СВЧ и терагерцевой электроники, оптоэлектроники и радиофотоники, устройства теплового и ночного видения.

AB - Рассмотрены примеры разработки и применения полупроводниковых наноструктур для реализации квантовых технологий при решении задач развития современных информационных и телекоммуникационных технологий. В их числе: гетеропереходные полевые транзисторы с высокой подвижностью электронов; многоэлементные матричные фотоприемники инфракрасного диапазона на многослойных гетероструктурах с квантовыми ямами; квантовые каскадные лазеры; полупроводниковые лазеры с вертикальным резонатором; источники одиночных и запутанных фотонов с квантовыми точками в активной области; спиновые структуры в эпитаксиальной системе «германий - кремний» с квантовыми точками. Ожидается применение полупроводниковых наноструктур в новых областях полупроводниковой электроники, таких как разработка универсальной памяти, нейропроцессоры, спинтроника, квантовые вычислители и квантовая криптография, элементы СВЧ и терагерцевой электроники, оптоэлектроники и радиофотоники, устройства теплового и ночного видения.

KW - НАНОТЕХНОЛОГИИ

KW - ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ НАНОСТРУКТУРЫ

KW - КВАНТОВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ

KW - ИК-ФОТОПРИЕМНИКИ

KW - СВЧ-ЭЛЕКТРОНИКА

KW - Nanotechnology

KW - semiconductor nanostructures

KW - quantum technologies

KW - IR photodetectors

KW - microwave electronics

UR - https://www.elibrary.ru/item.asp?id=83059951

UR - https://www.mendeley.com/catalogue/8b22f950-0e08-3a5b-9eb2-086d49a58496/

U2 - 10.25205/2541-9447-2025-20-2-68-88

DO - 10.25205/2541-9447-2025-20-2-68-88

M3 - обзорная статья

VL - 20

SP - 68

EP - 88

JO - Сибирский физический журнал

JF - Сибирский физический журнал

SN - 2541-9447

IS - 2

M1 - 5

ER -

ID: 75572264