Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › обзорная статья › Рецензирование
Полупроводниковые наноструктуры для квантовых технологий (обзор). / Aseev, A. L.
в: Сибирский физический журнал, Том 20, № 2, 5, 2025, стр. 68-88.Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › обзорная статья › Рецензирование
}
TY - JOUR
T1 - Полупроводниковые наноструктуры для квантовых технологий (обзор)
AU - Aseev, A. L.
N1 - Асеев А.Л. Полупроводниковые наноструктуры для квантовых технологий (обзор) // Сибирский физический журнал. – 2025. – Т. 20. - № 2. – С. 68-88. – DOI 10.25205/2541-9447-2025-20-2-68-88. – EDN HJPSNJ.
PY - 2025
Y1 - 2025
N2 - Рассмотрены примеры разработки и применения полупроводниковых наноструктур для реализации квантовых технологий при решении задач развития современных информационных и телекоммуникационных технологий. В их числе: гетеропереходные полевые транзисторы с высокой подвижностью электронов; многоэлементные матричные фотоприемники инфракрасного диапазона на многослойных гетероструктурах с квантовыми ямами; квантовые каскадные лазеры; полупроводниковые лазеры с вертикальным резонатором; источники одиночных и запутанных фотонов с квантовыми точками в активной области; спиновые структуры в эпитаксиальной системе «германий - кремний» с квантовыми точками. Ожидается применение полупроводниковых наноструктур в новых областях полупроводниковой электроники, таких как разработка универсальной памяти, нейропроцессоры, спинтроника, квантовые вычислители и квантовая криптография, элементы СВЧ и терагерцевой электроники, оптоэлектроники и радиофотоники, устройства теплового и ночного видения.
AB - Рассмотрены примеры разработки и применения полупроводниковых наноструктур для реализации квантовых технологий при решении задач развития современных информационных и телекоммуникационных технологий. В их числе: гетеропереходные полевые транзисторы с высокой подвижностью электронов; многоэлементные матричные фотоприемники инфракрасного диапазона на многослойных гетероструктурах с квантовыми ямами; квантовые каскадные лазеры; полупроводниковые лазеры с вертикальным резонатором; источники одиночных и запутанных фотонов с квантовыми точками в активной области; спиновые структуры в эпитаксиальной системе «германий - кремний» с квантовыми точками. Ожидается применение полупроводниковых наноструктур в новых областях полупроводниковой электроники, таких как разработка универсальной памяти, нейропроцессоры, спинтроника, квантовые вычислители и квантовая криптография, элементы СВЧ и терагерцевой электроники, оптоэлектроники и радиофотоники, устройства теплового и ночного видения.
KW - НАНОТЕХНОЛОГИИ
KW - ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ НАНОСТРУКТУРЫ
KW - КВАНТОВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ
KW - ИК-ФОТОПРИЕМНИКИ
KW - СВЧ-ЭЛЕКТРОНИКА
KW - Nanotechnology
KW - semiconductor nanostructures
KW - quantum technologies
KW - IR photodetectors
KW - microwave electronics
UR - https://www.elibrary.ru/item.asp?id=83059951
UR - https://www.mendeley.com/catalogue/8b22f950-0e08-3a5b-9eb2-086d49a58496/
U2 - 10.25205/2541-9447-2025-20-2-68-88
DO - 10.25205/2541-9447-2025-20-2-68-88
M3 - обзорная статья
VL - 20
SP - 68
EP - 88
JO - Сибирский физический журнал
JF - Сибирский физический журнал
SN - 2541-9447
IS - 2
M1 - 5
ER -
ID: 75572264