Standard

Особенности оптического поглощения импактного алмаза. / Елисеев, Александр Павлович; Afanasyev, V. P.; Угапьева, С.С.

в: Фундаментальные проблемы современного материаловедения, Том 16, № 1, 8, 2019, стр. 55-61.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Harvard

Елисеев, АП, Afanasyev, VP & Угапьева, СС 2019, 'Особенности оптического поглощения импактного алмаза', Фундаментальные проблемы современного материаловедения, Том. 16, № 1, 8, стр. 55-61. https://doi.org/10.25712/ASTU.1811-1416.2019.01.008

APA

Елисеев, А. П., Afanasyev, V. P., & Угапьева, С. С. (2019). Особенности оптического поглощения импактного алмаза. Фундаментальные проблемы современного материаловедения, 16(1), 55-61. [8]. https://doi.org/10.25712/ASTU.1811-1416.2019.01.008

Vancouver

Елисеев АП, Afanasyev VP, Угапьева СС. Особенности оптического поглощения импактного алмаза. Фундаментальные проблемы современного материаловедения. 2019;16(1):55-61. 8. doi: 10.25712/ASTU.1811-1416.2019.01.008

Author

Елисеев, Александр Павлович ; Afanasyev, V. P. ; Угапьева, С.С. / Особенности оптического поглощения импактного алмаза. в: Фундаментальные проблемы современного материаловедения. 2019 ; Том 16, № 1. стр. 55-61.

BibTeX

@article{fcaf75d7f63647228fb29fcd1e7a616e,
title = "Особенности оптического поглощения импактного алмаза",
abstract = "Импактные алмазы – это результат прямого перехода графит{\`a}алмаз и представляют собой поликристаллические малоазотные алмазы, состоящие из наноразмерных блоков кубического и гексагонального алмаза (лонсдейлита) с коррелированной ориентировкой. Используя спектроскопию КРС, отобраны две группы прозрачных образцов импактного алмаза из Попигайского метеоритного кратера: с лонсдейлитом и без него, оценен вклад лонсдейлита. В малоазотных монокристаллах алмаза, выращенных при высоких давлениях и температурах, край фундаментального поглощения около 5.5 эВ определяется прямыми разрешенными электронными переходами. Во всех поликристаллических наноразмерных импактных алмазах край поглощения размыт и описывается правилом Урбаха, соответствующим случаю электронных переходов между «хвостами» зон валентной и проводимости. Дополнительная ступенька в диапазоне 3-4 эВ связывается с переходами зона-зона в зернах лонсдейлита и положение этой ступеньки хорошо согласуется с результатами расчетов из первых принципов. В некоторых импактных алмазах с лонсдейлитом присутствуют электронно-колебательные системы с бесфононными линиями 676, 721, 775 и 838 нм, ранее неизвестные. Результаты работы лучше согласуются с моделью импактного алмаза как механической смеси кубического и гексагонального алмазов",
author = "Елисеев, {Александр Павлович} and Afanasyev, {V. P.} and С.С. Угапьева",
note = "Елисеев А.П., Афанасьев В.П., Угапьева С.С. Особенности оптического поглощения импактного алмаза // Фундаментальные проблемы современного материаловедения. – 2019. – Т. 16. – № 1. – С. 55-61. Работа выполнена по государственному заданию ИГМ СО РАН (проект 0330-2016-0006) и частично поддержана грантами РФФИ №16-05-00873a и 18-45-140011 р_а.",
year = "2019",
doi = "10.25712/ASTU.1811-1416.2019.01.008",
language = "русский",
volume = "16",
pages = "55--61",
journal = "Фундаментальные проблемы современного материаловедения",
issn = "1811-1416",
publisher = "Алтайский государственный технический университет им. И.И. Ползунова (Барнаул)",
number = "1",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - Особенности оптического поглощения импактного алмаза

AU - Елисеев, Александр Павлович

AU - Afanasyev, V. P.

AU - Угапьева, С.С.

N1 - Елисеев А.П., Афанасьев В.П., Угапьева С.С. Особенности оптического поглощения импактного алмаза // Фундаментальные проблемы современного материаловедения. – 2019. – Т. 16. – № 1. – С. 55-61. Работа выполнена по государственному заданию ИГМ СО РАН (проект 0330-2016-0006) и частично поддержана грантами РФФИ №16-05-00873a и 18-45-140011 р_а.

PY - 2019

Y1 - 2019

N2 - Импактные алмазы – это результат прямого перехода графитàалмаз и представляют собой поликристаллические малоазотные алмазы, состоящие из наноразмерных блоков кубического и гексагонального алмаза (лонсдейлита) с коррелированной ориентировкой. Используя спектроскопию КРС, отобраны две группы прозрачных образцов импактного алмаза из Попигайского метеоритного кратера: с лонсдейлитом и без него, оценен вклад лонсдейлита. В малоазотных монокристаллах алмаза, выращенных при высоких давлениях и температурах, край фундаментального поглощения около 5.5 эВ определяется прямыми разрешенными электронными переходами. Во всех поликристаллических наноразмерных импактных алмазах край поглощения размыт и описывается правилом Урбаха, соответствующим случаю электронных переходов между «хвостами» зон валентной и проводимости. Дополнительная ступенька в диапазоне 3-4 эВ связывается с переходами зона-зона в зернах лонсдейлита и положение этой ступеньки хорошо согласуется с результатами расчетов из первых принципов. В некоторых импактных алмазах с лонсдейлитом присутствуют электронно-колебательные системы с бесфононными линиями 676, 721, 775 и 838 нм, ранее неизвестные. Результаты работы лучше согласуются с моделью импактного алмаза как механической смеси кубического и гексагонального алмазов

AB - Импактные алмазы – это результат прямого перехода графитàалмаз и представляют собой поликристаллические малоазотные алмазы, состоящие из наноразмерных блоков кубического и гексагонального алмаза (лонсдейлита) с коррелированной ориентировкой. Используя спектроскопию КРС, отобраны две группы прозрачных образцов импактного алмаза из Попигайского метеоритного кратера: с лонсдейлитом и без него, оценен вклад лонсдейлита. В малоазотных монокристаллах алмаза, выращенных при высоких давлениях и температурах, край фундаментального поглощения около 5.5 эВ определяется прямыми разрешенными электронными переходами. Во всех поликристаллических наноразмерных импактных алмазах край поглощения размыт и описывается правилом Урбаха, соответствующим случаю электронных переходов между «хвостами» зон валентной и проводимости. Дополнительная ступенька в диапазоне 3-4 эВ связывается с переходами зона-зона в зернах лонсдейлита и положение этой ступеньки хорошо согласуется с результатами расчетов из первых принципов. В некоторых импактных алмазах с лонсдейлитом присутствуют электронно-колебательные системы с бесфононными линиями 676, 721, 775 и 838 нм, ранее неизвестные. Результаты работы лучше согласуются с моделью импактного алмаза как механической смеси кубического и гексагонального алмазов

UR - https://www.elibrary.ru/item.asp?id=37239604

U2 - 10.25712/ASTU.1811-1416.2019.01.008

DO - 10.25712/ASTU.1811-1416.2019.01.008

M3 - статья

VL - 16

SP - 55

EP - 61

JO - Фундаментальные проблемы современного материаловедения

JF - Фундаментальные проблемы современного материаловедения

SN - 1811-1416

IS - 1

M1 - 8

ER -

ID: 22863048