81 - 90 из 99Размер страницы: 10
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2017

  2. Element base of quantum informatics I. Qubits of a quantum computer based on single atoms in optical traps

    Ryabtsev, I. I., Beterov, I. I., Yakshina, E. A., Tretyakov, D. B., Entin, V. M., Neizvestny, I. G., Latyshev, A. V. & Aseev, A. L., 1 мар. 2017, в: Russian Microelectronics. 46, 2, стр. 109-120 12 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Local anodic oxidation of solid GeO films: The nanopatterning possibilities

    Astankova, K. N., Gorokhov, E. B., Azarov, I. A., Volodin, V. A. & Latyshev, A. V., 1 мар. 2017, в: Surfaces and Interfaces. 6, стр. 56-59 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. Giant microwave-induced B -periodic magnetoresistance oscillations in a two-dimensional electron gas with a bridged-gate tunnel point contact

    Levin, A. D., Mikhailov, S. A., Gusev, G. M., Kvon, Z. D., Rodyakina, E. E. & Latyshev, A. V., 23 февр. 2017, в: Physical Review B. 95, 8, 4 стр., 081408.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. Nucleation of two-dimensional islands on Si (111) during high-temperature epitaxial growth

    Sitnikov, S. V., Kosolobov, S. S. & Latyshev, A. V., 1 февр. 2017, в: Semiconductors. 51, 2, стр. 203-206 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. 2D Si island nucleation on the Si(111) surface at initial and late growth stages: On the role of step permeability in pyramidlike growth

    Rogilo, D. I., Fedina, L. I., Kosolobov, S. S., Ranguelov, B. S. & Latyshev, A. V., 1 янв. 2017, в: Journal of Crystal Growth. 457, стр. 188-195 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. Advacancy-mediated atomic steps kinetics and two-dimensional negative island nucleation on ultra-flat Si(111) surface

    Sitnikov, S. V., Latyshev, A. V. & Kosolobov, S. S., 1 янв. 2017, в: Journal of Crystal Growth. 457, стр. 196-201 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. AlInAs quantum dots

    Gaisler, A. V., Derebezov, I. A., Gaisler, V. A., Dmitriev, D. V., Toropov, A. I., Kozhukhov, A. S., Shcheglov, D. V., Latyshev, A. V. & Aseev, A. L., 1 янв. 2017, в: JETP Letters. 105, 2, стр. 103-109 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. Atomic Processes on the Silicon Surface

    Latyshev, A. V., Fedina, L. I., Kosolobov, S. S., Sitnikov, S. V., Rogilo, D. I., Rodyakina, E. E., Nasimov, D. A., Sheglov, D. V. & Aseev, A. L., 1 янв. 2017, Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications. Latyshev, AV., Dvurechenskii, AV. & Aseev, AL. (ред.). Elsevier Science Publishing Company, Inc., стр. 189-221 33 стр. (Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › глава/раздел › научная › Рецензирование

  10. Atomic Structure of Semiconductor Low-Dimensional Heterosystems

    Gutakovskii, A. K., Latyshev, A. V. & Aseev, A. L., 1 янв. 2017, Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications: Growth, Characterization, Properties and Applications. Latyshev, AV., Dvurechenskii, AV. & Aseev, AL. (ред.). Elsevier Science Publishing Company, Inc., стр. 223-253 31 стр. (Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › глава/раздел › научная › Рецензирование

  11. Formation of GaAs Step-Terraced Surfaces by Annealing in Equilibrium Conditions

    Alperovich, V. L., Akhundov, I. O., Kazantsev, D. M., Rudaya, N. S., Rodyakina, E. E., Kozhukhov, A. S., Sheglov, D. V., Karpov, A. N., Shwartz, N. L., Terekhov, A. S. & Latyshev, A. V., 1 янв. 2017, Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications: Growth, Characterization, Properties and Applications. Latyshev, AV., Dvurechenskii, AV. & Aseev, AL. (ред.). Elsevier Science Publishing Company, Inc., стр. 255-277 23 стр. (Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › глава/раздел › научная › Рецензирование

Назад 1...5 6 7 8 9 10 Далее

ID: 3436806