11 - 20 из 94Размер страницы: 10
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2017

  2. Formation of Periodic Structures (2D-PhCs) by Scanning Electron Lithography

    Utkin, D., Shklyev, A., Tsarev, A., Latyshev, A. & Nasimov, D., 1 янв. 2017, в: Physics Procedia. 86, стр. 127-130 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

  3. Preface

    Latyshev, A. V., Dvurechenskii, A. V. & Aseev, A. L., 1 янв. 2017, Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications: Growth, Characterization, Properties and Applications. Elsevier Science Publishing Company, Inc., стр. xxiii-xxiv (Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › предисловие, научный комментарий, послесловие › научная › Рецензирование

  4. Preface

    Latyshev, A. V., Dvurechenskii, A. V. & Aseev, A. L., 1 янв. 2017, Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications. Elsevier Science Publishing Company, Inc., стр. xxiii-xxiv (Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › предисловие, научный комментарий, послесловие › научная › Рецензирование

  5. Surface Morphologies Obtained by Ge Deposition on Bare and Oxidized Silicon Surfaces at Different Temperatures

    Shklyaev, A. A., Romanyuk, K. N., Kosolobov, S. S. & Latyshev, A. V., 1 янв. 2017, Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications: Growth, Characterization, Properties and Applications. Latyshev, AV., Dvurechenskii, AV. & Aseev, AL. (ред.). Elsevier Science Publishing Company, Inc., стр. 325-344 20 стр. (Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › глава/раздел › научная › Рецензирование

  6. Universality of the (113) Habit Plane in Si for Mixed Aggregation of Vacancies and Self-Interstitial Atoms Provided by Topological Bond Defect Formation

    Fedina, L. I., Gutakovskii, A. K., Latyshev, A. V. & Aseev, A. L., 1 янв. 2017, Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications: Growth, Characterization, Properties and Applications. Latyshev, AV., Dvurechenskii, AV. & Aseev, AL. (ред.). Elsevier Science Publishing Company, Inc., стр. 383-407 25 стр. (Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › глава/раздел › научная › Рецензирование

  7. Nucleation of two-dimensional islands on Si (111) during high-temperature epitaxial growth

    Sitnikov, S. V., Kosolobov, S. S. & Latyshev, A. V., 1 февр. 2017, в: Semiconductors. 51, 2, стр. 203-206 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. Giant microwave-induced B -periodic magnetoresistance oscillations in a two-dimensional electron gas with a bridged-gate tunnel point contact

    Levin, A. D., Mikhailov, S. A., Gusev, G. M., Kvon, Z. D., Rodyakina, E. E. & Latyshev, A. V., 23 февр. 2017, в: Physical Review B. 95, 8, 4 стр., 081408.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. Element base of quantum informatics II: Quantum communications with single photons

    Ryabtsev, I. I., Tretyakov, D. B., Kolyako, A. V., Pleshkov, A. S., Entin, V. M., Neizvestny, I. G., Latyshev, A. V. & Aseev, A. L., 1 мар. 2017, в: Russian Microelectronics. 46, 2, стр. 121-130 10 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. Element base of quantum informatics I. Qubits of a quantum computer based on single atoms in optical traps

    Ryabtsev, I. I., Beterov, I. I., Yakshina, E. A., Tretyakov, D. B., Entin, V. M., Neizvestny, I. G., Latyshev, A. V. & Aseev, A. L., 1 мар. 2017, в: Russian Microelectronics. 46, 2, стр. 109-120 12 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  11. Local anodic oxidation of solid GeO films: The nanopatterning possibilities

    Astankova, K. N., Gorokhov, E. B., Azarov, I. A., Volodin, V. A. & Latyshev, A. V., 1 мар. 2017, в: Surfaces and Interfaces. 6, стр. 56-59 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1 2 3 4 5 6 7 8 ...10 Далее

ID: 3436806