1. Effect of Disorder on Magnetotransport in Semiconductor Artificial Graphene

    Tkachenko, O. A., Tkachenko, V. A., Baksheev, D. G. & Sushkov, O. P., февр. 2023, в: JETP Letters. 117, 3, стр. 222-227 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  2. Erratum to: Several Articles in JETP Letters (JETP Letters, (2022), 116, 2, (83-89), 10.1134/S0021364022601208)

    Semenin, N. V., Borisenko, A. S., Zalivako, I. V., Semerikov, I. A., Aksenov, M. D., Khabarova, K. Y., Kolachevsky, N. N., Glazyrin, S. I., Lykov, V. A., Karpov, S. A., Karlykhanov, N. G., Gryaznykh, D. A., Bychenkov, V. Y., Karelina, L. N., Shuravin, N. S., Ionin, A. S., Bakurskiy, S. V., Egorov, S. V., Golovchanskiy, I. A., Chichkov, V. I., еще 6Bol’ginov, V. V., Ryazanov, V. V., Kazantsev, D. M., Alperovich, V. L., Tkachenko, V. A. & Kvon, Z. D., 2022, в: JETP Letters. 116, 12, стр. 912-913 2 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  3. Features of Microwave Photoconductance of Quantum Point Contact and Silicon Field-Effect Transistor

    Jaroshevich, A. S., Tkachenko, V. A., Kvon, Z. D., Kuzmin, N. S., Tkachenko, O. A., Baksheev, D. G., Marchishin, I. V., Bakarov, A. K., Rodyakina, E. E., Antonov, V. A., Popov, V. P. & Latyshev, A. V., сент. 2024, в: Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. 88, 9, стр. 1505-1512 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  4. Fractional Magnetic Breakdown Frequencies in Semiconductor Lattices with One-Dimensional Modulation

    Tkachenko, O. A., Tkachenko, V. A., Baksheev, D. G., Krix, Z. E. & Sushkov, O. P., 6 мая 2025, в: JETP Letters. 121, 6, стр. 474-480 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  5. Giant microwave photoconductance of short channel MOSFETs

    Jaroshevich, A. S., Kvon, Z. D., Tkachenko, V. A., Tkachenko, O. A., Baksheev, D. G., Antonov, V. A. & Popov, V. P., 5 февр. 2024, в: Applied Physics Letters. 124, 6, 063501.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  6. Giant Terahertz Photoconductance of Quantum Point Contacts in the Tunneling Regime

    Otteneder, M., Kvon, Z. D., Tkachenko, O. A., Tkachenko, V. A., Jaroshevich, A. S., Rodyakina, E. E., Latyshev, A. V. & Ganichev, S. D., 17 июл. 2018, в: Physical Review Applied. 10, 1, 9 стр., 014015.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  7. Low-Frequency Microwave Response of a Quantum Point Contact

    Tkachenko, V. A., Yaroshevich, A. S., Kvon, Z. D., Tkachenko, O. A., Rodyakina, E. E. & Latyshev, A. V., июл. 2021, в: JETP Letters. 114, 2, стр. 110-115 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  8. Low-Temperature Conductance of Nanosystems under Conditions of Weak Coupling with a Microwave Generator

    Jaroshevich, A. S., Tkachenko, V. A., Kvon, Z. D., Kuzmin, N. S., Tkachenko, O. A., Baksheev, D. G., Marchishin, I. V., Bakarov, A. K., Rodyakina, E. E., Antonov, V. A., Popov, V. P. & Latyshev, A. V., авг. 2024, в: Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. 60, 4, стр. 505-521 17 стр., 8.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  9. Mechanisms for Strong Anisotropy of In-Plane g -Factors in Hole Based Quantum Point Contacts

    Miserev, D. S., Srinivasan, A., Tkachenko, O. A., Tkachenko, V. A., Farrer, I., Ritchie, D. A., Hamilton, A. R. & Sushkov, O. P., 12 сент. 2017, в: Physical Review Letters. 119, 11, 5 стр., 116803.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  10. Modeling of Quantum Transport and Single-Electron Charging in GaAs/AlGaAs-Nanostructures

    Tkachenko, O. A., Tkachenko, V. A., Kvon, Z. D., Sheglov, D. V. & Aseev, A. L., 1 янв. 2017, Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications: Growth, Characterization, Properties and Applications. Latyshev, AV., Dvurechenskii, AV. & Aseev, AL. (ред.). Elsevier Science Publishing Company, Inc., стр. 131-155 25 стр. (Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференцийглава/разделнаучнаяРецензирование

Назад 1 2 Далее

ID: 3433215