Self-Organization of Ge(Si) Nanoisland Groups on Pit-Patterned Si(100) Substrates

Smagina, Z. V., Zinoviev, V. A., Rudin, S. A., Rodyakina, E. E., Novikov, P. L., Nenashev, A. V. & Dvurechenskii, A. V., дек. 2020, в: Semiconductors. 54, 14, стр. 1866-1868 3 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Tunneling current modulation in atomically precise graphene nanoribbon heterojunctions

Senkovskiy, B. V., Nenashev, A. V., Alavi, S. K., Falke, Y., Hell, M., Bampoulis, P., Rybkovskiy, D. V., Usachov, D. Y., Fedorov, A. V., Chernov, A. I., Gebhard, F., Meerholz, K., Hertel, D., Arita, M., Okuda, T., Miyamoto, K., Shimada, K., Fischer, F. R., Michely, T., Baranovskii, S. D., еще 3Lindfors, K., Szkopek, T. & Grüneis, A., 1 дек. 2021, в: Nature Communications. 12, 1, стр. 2542 2542.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Variational method of energy level calculation in pyramidal quantum dots

Nenashev, A. V. & Dvurechenskii, A. V., 21 апр. 2020, в: Journal of Applied Physics. 127, 15, 8 стр., 154301.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Weak antilocalization to weak localization transition in Bi₂Se₃ films on graphene

Stepina, N. P., Golyashov, V. A., Nenashev, A. V., Tereshchenko, O. E., Kokh, K. A., Kirienko, V. V., Koptev, E. S., Goldyreva, E. S., Rybin, M. G., Obraztsova, E. D. & Antonova, I. V., янв. 2022, в: Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures. 135, 114969.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование