Type-I Indirect-Gap Semiconductor Heterostructures on (110) Substrates

Abramkin, D. S. & Shamirzaev, T. S., 1 мая 2019, в: Semiconductors. 53, 5, стр. 703-710 8 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Structural Properties and Energy Spectrum of Novel GaSb/AlP Self-Assembled Quantum Dots

Abramkin, D. S., Petrushkov, M. O., Bogomolov, D. B., Emelyanov, E. A., Yesin, M. Y., Vasev, A. V., Bloshkin, A. A., Koptev, E. S., Putyato, M. A., Atuchin, V. V. & Preobrazhenskii, V. V., 28 февр. 2023, в: Nanomaterials. 13, 5, 910.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Spinodal Decomposition in InSb/AlAs Heterostructures

Abramkin, D. S., Bakarov, A. K., Gutakovskii, A. K. & Shamirzaev, T. S., 1 нояб. 2018, в: Semiconductors. 52, 11, стр. 1392-1397 6 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Novel InGaSb/AlP Quantum Dots for Non-Volatile Memories

Abramkin, D. S. & Atuchin, V. V., нояб. 2022, в: Nanomaterials. 12, 21, 3794.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Nature of the Pits on the Lattice-Matched InAlAs Layer Surface Grown on the (001) InP Substrate

Gulyaev, D. V., Abramkin, D. S., Dmitriev, D. V., Toropov, A. I., Kolosovsky, E. A., Ponomarev, S. A., Kurus, N. N., Milekhin, I. A. & Zhuravlev, K. S., 18 нояб. 2024, в: Nanomaterials. 14, 22, 1842.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Nanowired structure, optical properties and conduction band offset of RF magnetron-deposited n-Si/In₂O₃:Er films

Feklistov, K. V., Lemzyakov, A. G., Prosvirin, I. P., Gismatulin, A. A., Shklyaev, A. A., Zhivodkov, Y. A., Krivyakin, G., Komonov, A. I., Kozhukhov, A. S., Spesivsev, E. V., Gulyaev, D. V., Abramkin, D. S., Pugachev, A. M., Esaev, D. G. & Sidorov, G. Y., дек. 2020, в: Materials Research Express. 7, 12, 11 стр., 125903.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Luminescence of a near-surface GaAs/AlAs heterojunction in AlAs-based heterostructures

Nikiforov, V. E., Abramkin, D. S. & Shamirzaev, T. S., 1 нояб. 2017, в: Semiconductors. 51, 11, стр. 1513-1516 4 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Influence of a Low-Temperature GaAs Dislocation Filter on the Perfection of GaAs/Si Layers

Abramkin, D. S., Petrushkov, M. O., Emel’yanov, E. A., Putyato, M. A., Semyagin, B. R., Vasev, A. V., Esin, M. Y., Loshkarev, I. D., Gutakovskii, A. K., Preobrazhenskii, V. V. & Shamirzaev, T. S., 1 мар. 2018, в: Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. 54, 2, стр. 181-186 6 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Heterostructures with InAs/AlAs Quantum Wells and Quantum Dots Grown on GaAs/Si Hybrid Substrates

Abramkin, D. S., Petrushkov, M. O., Putyato, M. A., Semyagin, B. R. & Shamirzaev, T. S., 1 нояб. 2018, в: Semiconductors. 52, 11, стр. 1484-1490 7 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Heterostructures with diffused interfaces: Luminescent technique for ascertainment of band alignment type

Abramkin, D. S., Gutakovskii, A. K. & Shamirzaev, T. S., 21 мар. 2018, в: Journal of Applied Physics. 123, 11, 11 стр., 115701.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование