11 - 17 из 17Размер страницы: 10
Сортировать по:: Заголовок

  1. Luminescence of a near-surface GaAs/AlAs heterojunction in AlAs-based heterostructures

    Nikiforov, V. E., Abramkin, D. S. & Shamirzaev, T. S., 1 нояб. 2017, в: Semiconductors. 51, 11, стр. 1513-1516 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  2. Nanowired structure, optical properties and conduction band offset of RF magnetron-deposited n-Si/In2O3:Er films

    Feklistov, K. V., Lemzyakov, A. G., Prosvirin, I. P., Gismatulin, A. A., Shklyaev, A. A., Zhivodkov, Y. A., Krivyakin, G., Komonov, A. I., Kozhukhov, A. S., Spesivsev, E. V., Gulyaev, D. V., Abramkin, D. S., Pugachev, A. M., Esaev, D. G. & Sidorov, G. Y., дек. 2020, в: Materials Research Express. 7, 12, 11 стр., 125903.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Nature of the Pits on the Lattice-Matched InAlAs Layer Surface Grown on the (001) InP Substrate

    Gulyaev, D. V., Abramkin, D. S., Dmitriev, D. V., Toropov, A. I., Kolosovsky, E. A., Ponomarev, S. A., Kurus, N. N., Milekhin, I. A. & Zhuravlev, K. S., 18 нояб. 2024, в: Nanomaterials. 14, 22, 1842.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. Novel InGaSb/AlP Quantum Dots for Non-Volatile Memories

    Abramkin, D. S. & Atuchin, V. V., нояб. 2022, в: Nanomaterials. 12, 21, 3794.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. Spinodal Decomposition in InSb/AlAs Heterostructures

    Abramkin, D. S., Bakarov, A. K., Gutakovskii, A. K. & Shamirzaev, T. S., 1 нояб. 2018, в: Semiconductors. 52, 11, стр. 1392-1397 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. Structural Properties and Energy Spectrum of Novel GaSb/AlP Self-Assembled Quantum Dots

    Abramkin, D. S., Petrushkov, M. O., Bogomolov, D. B., Emelyanov, E. A., Yesin, M. Y., Vasev, A. V., Bloshkin, A. A., Koptev, E. S., Putyato, M. A., Atuchin, V. V. & Preobrazhenskii, V. V., 28 февр. 2023, в: Nanomaterials. 13, 5, 910.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. Type-I Indirect-Gap Semiconductor Heterostructures on (110) Substrates

    Abramkin, D. S. & Shamirzaev, T. S., 1 мая 2019, в: Semiconductors. 53, 5, стр. 703-710 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1 2 Далее

ID: 3443736