Electron emission from Cs/GaAs and GaAs(Cs, О) with positive and negative electron affinity

Zhuravlev, A. G., Khoroshilov, V. S. & Alperovich, V. L., 1 мая 2017, в: JETP Letters. 105, 10, стр. 686-690 5 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Electron emission from GaAs(Cs,O): Transition from negative to positive effective affinity

Zhuravlev, A. G., Khoroshilov, V. S. & Alperovich, V. L., 31 июл. 2019, в: Applied Surface Science. 483, стр. 895-900 6 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Erratum to: Several Articles in JETP Letters (JETP Letters, (2022), 116, 2, (83-89), 10.1134/S0021364022601208)

Semenin, N. V., Borisenko, A. S., Zalivako, I. V., Semerikov, I. A., Aksenov, M. D., Khabarova, K. Y., Kolachevsky, N. N., Glazyrin, S. I., Lykov, V. A., Karpov, S. A., Karlykhanov, N. G., Gryaznykh, D. A., Bychenkov, V. Y., Karelina, L. N., Shuravin, N. S., Ionin, A. S., Bakurskiy, S. V., Egorov, S. V., Golovchanskiy, I. A., Chichkov, V. I., еще 6Bol’ginov, V. V., Ryazanov, V. V., Kazantsev, D. M., Alperovich, V. L., Tkachenko, V. A. & Kvon, Z. D., 2022, в: JETP Letters. 116, 12, стр. 912-913 2 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Kinetically driven thermal roughening of semiconductor surfaces: experiment on GaAs and Monte Carlo simulation

Kazantsev, D. M., Akhundov, I. O., Kozhuhov, A. S., Khoroshilov, V. S., Shwartz, N. L., Alperovich, V. L. & Latyshev, A. V., 1 мар. 2023, в: Physica Scripta. 98, 3, 035702.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Kinetics of anticrossing between slip traces and vicinal steps on crystal surfaces

Coupeau, C., Kazantsev, D. M., Drouet, M. & Alperovich, V. L., 15 авг. 2019, в: Acta Materialia. 175, стр. 206-213 8 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Langmuir evaporation of GaAs(1 1 1)A and GaAs(1 1 1)B: Monte Carlo simulation

Spirina, A. A., Alperovich, V. L. & Shwartz, N. L., 28 февр. 2021, в: Applied Surface Science. 540, 6 стр., 148281.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Local monitoring of atomic steps on GaAs(001) surface under oxidation, wet removal of oxides and thermal smoothing

Akhundov, I. O., Kazantsev, D. M., Alperovich, V. L., Sheglov, D. V., Kozhukhov, A. S. & Latyshev, A. V., 1 июн. 2017, в: Applied Surface Science. 406, стр. 307-311 5 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Photoemission and photon-enhanced thermionic emission: Effect of jump in electron mass

Alperovich, V. L., Kazantsev, D. M., Zhuravlev, A. G. & Shvartsman, L. D., 30 сент. 2021, в: Applied Surface Science. 561, 149987.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Relaxational kinetics of photoemission and photon-enhanced thermionic emission from p-GaAs surface with nonequilibrium Cs overlayers

Zhuravlev, A. G. & Alperovich, V. L., 15 дек. 2018, в: Applied Surface Science. 461, стр. 10-16 7 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Spectral Maximum in the Terahertz Photoconductance of a Quantum Point Contact

Kazantsev, D. M., Alperovich, V. L., Tkachenko, V. A. & Kvon, Z. D., июл. 2022, в: JETP Letters. 116, 2, стр. 117-122 6 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование