1. 2018
  2. Giant Terahertz Photoconductance of Quantum Point Contacts in the Tunneling Regime

    Otteneder, M., Kvon, Z. D., Tkachenko, O. A., Tkachenko, V. A., Jaroshevich, A. S., Rodyakina, E. E., Latyshev, A. V. & Ganichev, S. D., 17 июл. 2018, в: Physical Review Applied. 10, 1, 9 стр., 014015.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Study of the Structural and Emission Properties of Ge(Si) Quantum Dots Ordered on the Si(001) Surface

    Smagina, Z. V., Zinovyev, V. A., Krivyakin, G. K., Rodyakina, E. E., Kuchinskaya, P. A., Fomin, B. I., Yablonskiy, A. N., Stepikhova, M. V., Novikov, A. V. & Dvurechenskii, A. V., 1 сент. 2018, в: Semiconductors. 52, 9, стр. 1150-1155 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. Nanoantenna structures for the detection of phonons in nanocrystals

    Milekhin, A. G., Kuznetsov, S. A., Milekhin, I. A., Sveshnikova, L. L., Duda, T. A., Rodyakina, E. E., Latyshev, A. V., Dzhagan, V. M. & Zahn, D. R. T., 5 окт. 2018, в: Beilstein Journal of Nanotechnology. 9, стр. 2646-2656 11 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. Controlling the Si(001) Surface Morphology upon Thermal Annealing in a Vacuum Chamber

    Rodyakina, E. E., Sitnikov, S. V., Rogilo, D. I. & Latyshev, A. V., 1 нояб. 2018, в: Russian Microelectronics. 47, 6, стр. 365-370 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. Nucleation of Three-Dimensional Ge Islands on a Patterned Si(100) Surface

    Rudin, S. A., Smagina, Z. V., Zinovyev, V. A., Novikov, P. L., Nenashev, A. V., Rodyakina, E. E. & Dvurechenskii, A. V., 1 нояб. 2018, в: Semiconductors. 52, 11, стр. 1457-1461 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. 2019
  8. The role of a plasmonic substrate on the enhancement and spatial resolution of tip-enhanced Raman scattering

    Rahaman, M., Milekhin, A. G., Mukherjee, A., Rodyakina, E. E., Latyshev, A. V., Dzhagan, V. M. & Zahn, D. R. T., 1 мая 2019, в: Faraday Discussions. 214, стр. 309-323 15 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. Electromigration Effect on Vacancy Islands Nucleation on Si(100) Surface during Sublimation

    Sitnikov, S. V., Rodyakina, E. E. & Latyshev, A. V., 1 июн. 2019, в: Semiconductors. 53, 6, стр. 795-799 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. Step bunching phenomena on Si(0 0 1) surface induced by DC heating during sublimation and Si deposition

    Rodyakina, E. E., Sitnikov, S. V., Rogilo, D. I. & Latyshev, A. V., 15 авг. 2019, в: Journal of Crystal Growth. 520, стр. 85-88 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  11. Modulation of Magneto-Intersubband Oscillations in a One-Dimensional Lateral Superlattice

    Bykov, A. A., Strygin, I. S., Goran, A. V., Nomokonov, D. V., Marchishin, I. V., Bakarov, A. K., Rodyakina, E. E. & Latyshev, A. V., 1 сент. 2019, в: JETP Letters. 110, 5, стр. 354-358 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  12. Photon-Assisted Electron Transmission through a Quantum Point Contact

    Tkachenko, O. A., Baksheev, D. G., Tkachenko, V. A., Kvon, Z. D., Yaroshevich, A. S., Rodyakina, E. E. & Latyshev, A. V., 1 сент. 2019, в: Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. 55, 5, стр. 480-487 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

ID: 3457796