1. Mathematical Modeling of Charge Transport in the Dielectric Layer of a HfOx Memristor Taking into Account Single Charged Traps

    Islamov, D. R., Zalyalov, T. M., Voronkovskii, V. A., Markelova, A. K., Pil’nik, A. A., Perevalov, T. V., Davydov, M. N. & Chernov, A. A., дек. 2025, в: Russian Microelectronics. 54, 8, стр. 922-928 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

ID: 68125486