11 - 20 из 24Размер страницы: 10
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2020

  2. Double-Channel Electron Transport in Suspended Quantum Point Contacts with in-Plane Side Gates

    Pokhabov, D. A., Pogosov, A. G., Zhdanov, E. Y., Bakarov, A. K. & Shklyaev, A. A., дек. 2020, в: Semiconductors. 54, 12, стр. 1605-1610 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Low-temperature dissipation and its persistent photoinduced change in AlGaAs/GaAs-based nanomechanical resonators

    Shevyrin, A. A., Pogosov, A. G., Bakarov, A. K. & Shklyaev, A. A., 3 февр. 2020, в: Applied Physics Letters. 116, 5, 5 стр., 053104.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. 2019

  5. Suspended quantum point contact with triple channel selectively driven by side gates

    Pokhabov, D. A., Pogosov, A. G., Zhdanov, E. Y., Bakarov, A. K. & Shklyaev, A. A., 7 окт. 2019, в: Applied Physics Letters. 115, 15, 152101.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. On-chip Piezoelectric Actuation of Nanomechanical Resonators Containing a Two-dimensional Electron Gas

    Shevyrin, A. A., Bakarov, A. K., Shklyaev, A. A., Arakcheev, A. S., Kurosu, M., Yamaguchi, H. & Pogosov, A. G., 1 февр. 2019, в: JETP Letters. 109, 4, стр. 261-265 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. 2018

  8. Elastic Properties of Suspended Conducting GaAs/AlGaAs Nanostructures by Means of Atomic Force Microscopy

    Zhdanov, E. Y., Pogosov, A. G., Pokhabov, D. A., Budantsev, M. V., Kozhukhov, A. S. & Bakarov, A. K., 1 сент. 2018, в: Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. 54, 5, стр. 496-501 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. Influence of quantizing magnetic field and Rashba effect on indium arsenide metal-oxide-semiconductor structure accumulation capacitance

    Kovchavtsev, A. P., Aksenov, M. S., Tsarenko, A. V., Nastovjak, A. E., Pogosov, A. G., Pokhabov, D. A., Tereshchenko, O. E. & Valisheva, N. A., 7 мая 2018, в: Journal of Applied Physics. 123, 17, 6 стр., 173901.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. The piezoelectric gating effect in a thin bent membrane with a two-dimensional electron gas

    Shevyrin, A. A. & Pogosov, A. G., 13 апр. 2018, в: Journal of Physics Condensed Matter. 30, 18, 7 стр., 184003.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  11. The observation of the Aharonov-Bohm effect in suspended semiconductor ring interferometers

    Pokhabov, D. A., Pogosov, A. G., Shevyrin, A. A., Yu Zhdanov, E., Bakarov, A. K., Shklyaev, A. A., Ishutkin, S. V., Stepanenko, M. V. & Shesterikov, E. V., 2 мар. 2018, в: Journal of Physics: Conference Series. 964, 1, 5 стр., 012008.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

  12. Lateral-electric-field-induced spin polarization in a suspended GaAs quantum point contact

    Pokhabov, D. A., Pogosov, A. G., Zhdanov, E. Y., Shevyrin, A. A., Bakarov, A. K. & Shklyaev, A. A., 19 февр. 2018, в: Applied Physics Letters. 112, 8, 4 стр., 082102.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  13. Electrically controlled spin polarization in suspended GaAs quantum point contacts

    Pokhabov, D. A., Pogosov, A. G., Zhdanov, E. Y., Shevyrin, A. A., Bakarov, A. K. & Shklyaev, A. A., 1 янв. 2018, в: Journal of Physics: Conference Series. 1124, 6, 061001.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

Назад 1 2 3 Далее

ID: 3432127