11 - 20 из 27Размер страницы: 10
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2022

  2. Suspended semiconductor nanostructures: physics and technology

    Pogosov, A. G., Shevyrin, A. A., Pokhabov, D. A., Zhdanov, E. Y. & Kumar, S., 29 июн. 2022, в: Journal of physics. Condensed matter : an Institute of Physics journal. 34, 26, 35 стр., 263001.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › обзорная статья › Рецензирование

  3. 2021

  4. Electrostatic actuation and charge sensing in piezoelectric nanomechanical resonators with a two-dimensional electron gas

    Shevyrin, A. A., Pogosov, A. G., Bakarov, A. K. & Shklyaev, A. A., 3 мая 2021, в: Applied Physics Letters. 118, 18, 183105.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. Crossing and anticrossing of 1D subbands in a quantum point contact with in-plane side gates

    Pokhabov, D. A., Pogosov, A. G., Zhdanov, E. Y., Bakarov, A. K. & Shklyaev, A. A., 4 янв. 2021, в: Applied Physics Letters. 118, 1, 5 стр., 012104.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. 2020

  7. Double-Channel Electron Transport in Suspended Quantum Point Contacts with in-Plane Side Gates

    Pokhabov, D. A., Pogosov, A. G., Zhdanov, E. Y., Bakarov, A. K. & Shklyaev, A. A., дек. 2020, в: Semiconductors. 54, 12, стр. 1605-1610 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. Low-temperature dissipation and its persistent photoinduced change in AlGaAs/GaAs-based nanomechanical resonators

    Shevyrin, A. A., Pogosov, A. G., Bakarov, A. K. & Shklyaev, A. A., 3 февр. 2020, в: Applied Physics Letters. 116, 5, 5 стр., 053104.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. 2019

  10. Suspended quantum point contact with triple channel selectively driven by side gates

    Pokhabov, D. A., Pogosov, A. G., Zhdanov, E. Y., Bakarov, A. K. & Shklyaev, A. A., 7 окт. 2019, в: Applied Physics Letters. 115, 15, 152101.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  11. On-chip Piezoelectric Actuation of Nanomechanical Resonators Containing a Two-dimensional Electron Gas

    Shevyrin, A. A., Bakarov, A. K., Shklyaev, A. A., Arakcheev, A. S., Kurosu, M., Yamaguchi, H. & Pogosov, A. G., 1 февр. 2019, в: JETP Letters. 109, 4, стр. 261-265 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  12. 2018

  13. Elastic Properties of Suspended Conducting GaAs/AlGaAs Nanostructures by Means of Atomic Force Microscopy

    Zhdanov, E. Y., Pogosov, A. G., Pokhabov, D. A., Budantsev, M. V., Kozhukhov, A. S. & Bakarov, A. K., 1 сент. 2018, в: Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. 54, 5, стр. 496-501 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  14. Influence of quantizing magnetic field and Rashba effect on indium arsenide metal-oxide-semiconductor structure accumulation capacitance

    Kovchavtsev, A. P., Aksenov, M. S., Tsarenko, A. V., Nastovjak, A. E., Pogosov, A. G., Pokhabov, D. A., Tereshchenko, O. E. & Valisheva, N. A., 7 мая 2018, в: Journal of Applied Physics. 123, 17, 6 стр., 173901.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  15. The piezoelectric gating effect in a thin bent membrane with a two-dimensional electron gas

    Shevyrin, A. A. & Pogosov, A. G., 13 апр. 2018, в: Journal of Physics Condensed Matter. 30, 18, 7 стр., 184003.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1 2 3 Далее

ID: 3432127