1. Multiwell Potential in a Trench-Type Quantum Point Contact

    Sarypov, D. I., Pokhabov, D. A., Pogosov, A. G., Zhdanov, E. Y. & Bakarov, A. K., сент. 2022, в: JETP Letters. 116, 6, стр. 360-366 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  2. Lateral-electric-field-induced spin polarization in a suspended GaAs quantum point contact

    Pokhabov, D. A., Pogosov, A. G., Zhdanov, E. Y., Shevyrin, A. A., Bakarov, A. K. & Shklyaev, A. A., 19 февр. 2018, в: Applied Physics Letters. 112, 8, 4 стр., 082102.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Influence of quantizing magnetic field and Rashba effect on indium arsenide metal-oxide-semiconductor structure accumulation capacitance

    Kovchavtsev, A. P., Aksenov, M. S., Tsarenko, A. V., Nastovjak, A. E., Pogosov, A. G., Pokhabov, D. A., Tereshchenko, O. E. & Valisheva, N. A., 7 мая 2018, в: Journal of Applied Physics. 123, 17, 6 стр., 173901.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. Gurzhi effect in point contacts in GaAs

    Сарыпов, Д. И., Похабов, Д. А., Погосов, А. Г., Егоров, Д. А., Жданов, Е. Ю. & Бакаров, А. К., мая 2024, в: St. Petersburg State Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics. 17, 1.1, стр. 89-95 6 стр., 14.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

  5. Enhanced e–e interaction in suspended 2DEG evidenced by transverse magnetic focusing

    Egorov, D. A., Pokhabov, D. A., Zhdanov, E. Y., Shevyrin, A. A., Bakarov, A. K. & Pogosov, A. G., 9 сент. 2024, в: Applied Physics Letters. 125, 11, 112103.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. Electron Transport: From Nanostructures to Nanoelectromechanical Systems

    Pogosov, A. G., Budantsev, M. V., Shevyrin, A. A., Zhdanov, E. Y. & Pokhabov, D. A., 1 янв. 2017, Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications: Growth, Characterization, Properties and Applications. Latyshev, AV., Dvurechenskii, AV. & Aseev, AL. (ред.). Elsevier Science Publishing Company, Inc., стр. 101-129 29 стр. (Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › глава/раздел › научная › Рецензирование

  7. Electrically controlled switching between spatially separated conducting channels in a quantum point contact

    Сарыпов, Д. И., Похабов, Д. А., Погосов, А. Г., Жданов, Е. Ю. & Бакаров, А. К., 2023, в: St. Petersburg State Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics. 16, 1.3, стр. 117-123 7 стр., 20.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. Electrically controlled spin polarization in suspended GaAs quantum point contacts

    Pokhabov, D. A., Pogosov, A. G., Zhdanov, E. Y., Shevyrin, A. A., Bakarov, A. K. & Shklyaev, A. A., 1 янв. 2018, в: Journal of Physics: Conference Series. 1124, 6, 061001.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

  9. Elastic Properties of Suspended Conducting GaAs/AlGaAs Nanostructures by Means of Atomic Force Microscopy

    Zhdanov, E. Y., Pogosov, A. G., Pokhabov, D. A., Budantsev, M. V., Kozhukhov, A. S. & Bakarov, A. K., 1 сент. 2018, в: Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. 54, 5, стр. 496-501 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. Double-Channel Electron Transport in Suspended Quantum Point Contacts with in-Plane Side Gates

    Pokhabov, D. A., Pogosov, A. G., Zhdanov, E. Y., Bakarov, A. K. & Shklyaev, A. A., дек. 2020, в: Semiconductors. 54, 12, стр. 1605-1610 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

ID: 3435169