11 - 20 из 23Размер страницы: 10
Сортировать по:: Заголовок

  1. Influence of quantizing magnetic field and Rashba effect on indium arsenide metal-oxide-semiconductor structure accumulation capacitance

    Kovchavtsev, A. P., Aksenov, M. S., Tsarenko, A. V., Nastovjak, A. E., Pogosov, A. G., Pokhabov, D. A., Tereshchenko, O. E. & Valisheva, N. A., 7 мая 2018, в: Journal of Applied Physics. 123, 17, 6 стр., 173901.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  2. Lateral-electric-field-induced spin polarization in a suspended GaAs quantum point contact

    Pokhabov, D. A., Pogosov, A. G., Zhdanov, E. Y., Shevyrin, A. A., Bakarov, A. K. & Shklyaev, A. A., 19 февр. 2018, в: Applied Physics Letters. 112, 8, 4 стр., 082102.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Multiwell Potential in a Trench-Type Quantum Point Contact

    Sarypov, D. I., Pokhabov, D. A., Pogosov, A. G., Zhdanov, E. Y. & Bakarov, A. K., сент. 2022, в: JETP Letters. 116, 6, стр. 360-366 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. Scanning of Electronic States in a Quantum Point Contact Using Asymmetrically Biased Side Gates

    Pokhabov, D. A., Pogosov, A. G., Zhdanov, E. Y. & Bakarov, A. K., февр. 2023, в: JETP Letters. 117, 4, стр. 299-305 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. Slip Electron Flow in GaAs Microscale Constrictions

    Sarypov, D. I., Pokhabov, D. A., Pogosov, A. G., Zhdanov, E. Y., Shevyrin, A. A., Bakarov, A. K. & Shklyaev, A. A., 5 дек. 2025, в: Physical Review Letters. 135, 23, 16 стр., 236301.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. Suspended quantum point contact with triple channel selectively driven by side gates

    Pokhabov, D. A., Pogosov, A. G., Zhdanov, E. Y., Bakarov, A. K. & Shklyaev, A. A., 7 окт. 2019, в: Applied Physics Letters. 115, 15, 152101.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. Suspended semiconductor nanostructures: physics and technology

    Pogosov, A. G., Shevyrin, A. A., Pokhabov, D. A., Zhdanov, E. Y. & Kumar, S., 29 июн. 2022, в: Journal of physics. Condensed matter : an Institute of Physics journal. 34, 26, 35 стр., 263001.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › обзорная статья › Рецензирование

  8. Temperature Dependence of Electron Viscosity in Superballistic GaAs Point Contacts

    Sarypov, D. I., Pokhabov, D. A., Pogosov, A. G., Zhdanov, E. Y., Shevyrin, A. A., Bakarov, A. K. & Shklyaev, A. A., 14 янв. 2025, в: Physical Review Letters. 134, 2, 026302.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. The observation of the Aharonov-Bohm effect in suspended semiconductor ring interferometers

    Pokhabov, D. A., Pogosov, A. G., Shevyrin, A. A., Yu Zhdanov, E., Bakarov, A. K., Shklyaev, A. A., Ishutkin, S. V., Stepanenko, M. V. & Shesterikov, E. V., 2 мар. 2018, в: Journal of Physics: Conference Series. 964, 1, 5 стр., 012008.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

  10. The role of small-angle electron-electron scattering in transverse magnetic focusing experiment

    Egorov, D. A., Pokhabov, D. A., Zhdanov, E. Y., Shevyrin, A. A., Bakarov, A. K., Shklyaev, A. A. & Pogosov, A. G., 21 сент. 2025, в: Journal of Applied Physics. 138, 11, 7 стр., 115701.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1 2 3 Далее

ID: 3435169