11 - 11 из 11Размер страницы: 10
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2024

  2. Mechanisms of Optical Gain in Heavily Doped AlxGa1 –xN:Si Structures (x = 0.56–1)

    Bokhan, P. A., Zhuravlev, K. S., Zakrevsky, D. E., Malin, T. V. & Fateev, N. V., мая 2024, в: Semiconductors. 58, 5, стр. 386-392 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1 2 Далее

ID: 3435398