81 - 91 из 91Размер страницы: 20
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2017

  2. Edge states in lateral p-n junctions in inverted-band HgTe quantum wells

    Piatrusha, S. U., Khrapai, V. S., Kvon, Z. D., Mikhailov, N. N., Dvoretsky, S. A. & Tikhonov, E. S., 20 дек. 2017, в: Physical Review B. 96, 24, 10 стр., 245417.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Ballistic geometric resistance resonances in a single surface of a topological insulator

    Maier, H., Ziegler, J., Fischer, R., Kozlov, D., Kvon, Z. D., Mikhailov, N., Dvoretsky, S. A. & Weiss, D., 8 дек. 2017, в: Nature Communications. 8, 1, 6 стр., 2023.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. Band structure of a two-dimensional Dirac semimetal from cyclotron resonance

    Shuvaev, A. M., Dziom, V., Mikhailov, N. N., Kvon, Z. D., Shao, Y., Basov, D. N. & Pimenov, A., 12 окт. 2017, в: Physical Review B. 96, 15, 7 стр., 155434.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. Magnetoresistance oscillations induced by high-intensity terahertz radiation

    Herrmann, T., Kvon, Z. D., Dmitriev, I. A., Kozlov, D. A., Jentzsch, B., Schneider, M., Schell, L., Bel'Kov, V. V., Bayer, A., Schuh, D., Bougeard, D., Kuczmik, T., Oltscher, M., Weiss, D. & Ganichev, S. D., 27 сент. 2017, в: Physical Review B. 96, 11, 9 стр., 115449.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. Robust helical edge transport at ν=0 quantum Hall state

    Gusev, G. M., Kozlov, D. A., Levin, A. D., Kvon, Z. D., Mikhailov, N. N. & Dvoretsky, S. A., 21 июл. 2017, в: Physical Review B. 96, 4, 5 стр., 045304.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. Photogalvanic probing of helical edge channels in two-dimensional HgTe topological insulators

    Dantscher, K. M., Kozlov, D. A., Scherr, M. T., Gebert, S., Bärenfänger, J., Durnev, M. V., Tarasenko, S. A., Bel'Kov, V. V., Mikhailov, N. N., Dvoretsky, S. A., Kvon, Z. D., Ziegler, J., Weiss, D. & Ganichev, S. D., 8 мая 2017, в: Physical Review B. 95, 20, 5 стр., 201103.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. Quantum capacitance of a three-dimensional topological insulator based on HgTe

    Kozlov, D. A., Bauer, D., Ziegler, J., Fischer, R., Savchenko, M. L., Kvon, Z. D., Mikhailov, N. N., Dvoretsky, S. A. & Weiss, D., 1 апр. 2017, в: Low Temperature Physics. 43, 4, стр. 430-436 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. Giant microwave-induced B -periodic magnetoresistance oscillations in a two-dimensional electron gas with a bridged-gate tunnel point contact

    Levin, A. D., Mikhailov, S. A., Gusev, G. M., Kvon, Z. D., Rodyakina, E. E. & Latyshev, A. V., 23 февр. 2017, в: Physical Review B. 95, 8, 4 стр., 081408.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. Modeling of Quantum Transport and Single-Electron Charging in GaAs/AlGaAs-Nanostructures

    Tkachenko, O. A., Tkachenko, V. A., Kvon, Z. D., Sheglov, D. V. & Aseev, A. L., 1 янв. 2017, Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications: Growth, Characterization, Properties and Applications. Latyshev, AV., Dvurechenskii, AV. & Aseev, AL. (ред.). Elsevier Science Publishing Company, Inc., стр. 131-155 25 стр. (Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › глава/раздел › научная › Рецензирование

  11. Two-Dimensional Semimetal in HgTe-Based Quantum Wells

    Kvon, Z. D., Olshanetsky, E. B., Kozlov, D. A., Mikhailov, N. N. & Dvoretsky, S. A., 1 янв. 2017, Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications. Latyshev, AV., Dvurechenskii, AV. & Aseev, AL. (ред.). Elsevier Science Publishing Company, Inc., стр. 29-48 20 стр. (Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › глава/раздел › научная › Рецензирование

  12. 2016

  13. Terahertz resistive response of a two-dimensional topological insulator in a quasiballistic transport regime

    Kvon, Z. D., Dantscher, K. -M., Scherr, M. -T., Yaroshevich, A. S. & Mikhailov, N. N., 1 нояб. 2016, в: JETP Letters. 104, 10, стр. 716-720 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1 2 3 4 5 Далее

ID: 3456020