1. Anderson Localization in a Two-Dimensional Electron–Hole System

    Kvon, Z. D., Olshanetsky, E. B., Drofa, M. A. & Mikhailov, N. N., сент. 2021, в: JETP Letters. 114, 6, стр. 341-346 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  2. Anomalous Decay of Quantum Resistance Oscillations of 2D Helical Electrons in Magnetic Field

    Abedi, S., Vitkalov, S. A., Mikhailov, N. N. & Kvon, Z. D., 12 мая 2020, в: Scientific Reports. 10, 1, 14 стр., 7875.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  3. Ballistic geometric resistance resonances in a single surface of a topological insulator

    Maier, H., Ziegler, J., Fischer, R., Kozlov, D., Kvon, Z. D., Mikhailov, N., Dvoretsky, S. A. & Weiss, D., 8 дек. 2017, в: Nature Communications. 8, 1, 6 стр., 2023.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  4. Band Structure Near the Dirac Point in HgTe Quantum Wells with Critical Thickness

    Shuvaev, A., Dziom, V., Gospodarič, J., Novik, E. G., Dobretsova, A. A., Mikhailov, N. N., Kvon, Z. D. & Pimenov, A., июл. 2022, в: Nanomaterials. 12, 14, 2492.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  5. Band structure of a HgTe-based three-dimensional topological insulator

    Gospodarič, J., Dziom, V., Shuvaev, A., Dobretsova, A. A., Mikhailov, N. N., Kvon, Z. D., Novik, E. G. & Pimenov, A., сент. 2020, в: Physical Review B. 102, 11, 9 стр., 115113.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  6. Band structure of a two-dimensional Dirac semimetal from cyclotron resonance

    Shuvaev, A. M., Dziom, V., Mikhailov, N. N., Kvon, Z. D., Shao, Y., Basov, D. N. & Pimenov, A., 12 окт. 2017, в: Physical Review B. 96, 15, 7 стр., 155434.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  7. Cyclotron-resonance-induced photogalvanic effect in surface states of 200-nm-thick strained HgTe films

    Candussio, S., Budkin, G. V., Otteneder, M., Kozlov, D. A., Dmitriev, I. A., Bel'Kov, V. V., Kvon, Z. D., Mikhailov, N. N., Dvoretsky, S. A. & Ganichev, S. D., 23 мая 2019, в: Physical Review Materials. 3, 5, 11 стр., 054205.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  8. Demonstration of high sensitivity of microwave-induced resistance oscillations to circular polarization

    Savchenko, M. L., Shuvaev, A., Dmitriev, I. A., Ganichev, S. D., Kvon, Z. D. & Pimenov, A., 15 окт. 2022, в: Physical Review B. 106, 16, L161408.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  9. Edge and Bulk Transport in a Two-Dimensional Topological Insulator Based on a CdHgTe Quantum Well

    Ryzhkov, M. S., Khudaiberdiev, D. A., Kozlov, D. A., Kvon, Z. D., Mikhailov, N. N. & Dvoretsky, S. A., февр. 2022, в: JETP Letters. 115, 4, стр. 202-207 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  10. Edge states in lateral p-n junctions in inverted-band HgTe quantum wells

    Piatrusha, S. U., Khrapai, V. S., Kvon, Z. D., Mikhailov, N. N., Dvoretsky, S. A. & Tikhonov, E. S., 20 дек. 2017, в: Physical Review B. 96, 24, 10 стр., 245417.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

Назад 1 2 3 4 5 6 7 8 Далее

ID: 3456020