1. 2017
  2. Formation of GaAs Step-Terraced Surfaces by Annealing in Equilibrium Conditions

    Alperovich, V. L., Akhundov, I. O., Kazantsev, D. M., Rudaya, N. S., Rodyakina, E. E., Kozhukhov, A. S., Sheglov, D. V., Karpov, A. N., Shwartz, N. L., Terekhov, A. S. & Latyshev, A. V., 1 янв. 2017, Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications: Growth, Characterization, Properties and Applications. Latyshev, AV., Dvurechenskii, AV. & Aseev, AL. (ред.). Elsevier Science Publishing Company, Inc., стр. 255-277 23 стр. (Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › глава/раздел › научная › Рецензирование

  3. Thermodynamic and kinetic roughening: Monte Carlo simulation and experiment on GaAs

    Kazantsev, D. M., Akhundov, I. O., Kozhukhov, A. S. & Alperovich, V. L., 11 апр. 2017, в: Journal of Physics: Conference Series. 816, 1, 5 стр., 012008.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

  4. Local monitoring of atomic steps on GaAs(001) surface under oxidation, wet removal of oxides and thermal smoothing

    Akhundov, I. O., Kazantsev, D. M., Alperovich, V. L., Sheglov, D. V., Kozhukhov, A. S. & Latyshev, A. V., 1 июн. 2017, в: Applied Surface Science. 406, стр. 307-311 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. 2018
  6. Optimization of conditions for thermal smoothing GaAs surfaces

    Akhundov, I. O., Kazantsev, D. M., Kozhuhov, A. S. & Alperovich, V. L., 10 апр. 2018, в: Journal of Physics: Conference Series. 993, 1, 6 стр., 012010.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

  7. Photoemission properties of flat and rough GaAs surfaces with cesium and oxygen layers

    Zhuravlev, A. G., Kazantsev, D. M., Khoroshilov, V. S., Kozhukhov, A. S. & Alperovich, V. L., 10 апр. 2018, в: Journal of Physics: Conference Series. 993, 1, 6 стр., 012007.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

  8. Thermal Smoothing and Roughening of GaAs Surfaces: Experiment and Monte Carlo Simulation

    Kazantsev, D. M., Akhundov, I. O., Alperovich, V. L., Shwartz, N. L., Kozhukhov, A. S. & Latyshev, A. V., 1 мая 2018, в: Semiconductors. 52, 5, стр. 618-621 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. 2019
  10. Monte Carlo simulation of roughening at step-terraced surfaces

    Kazantsev, D. M., Shwartz, N. L. & Alperovich, V. L., 17 апр. 2019, в: Journal of Physics: Conference Series. 1199, 1, 012010.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

  11. Relaxational kinetics of photoemission from Cs/GaAs and GaAs(Cs,O) surfaces at elevated temperatures

    Khoroshilov, V. S., Kazantsev, D. M. & Zhuravlev, A. G., 17 апр. 2019, в: Journal of Physics: Conference Series. 1199, 1, 012011.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

  12. Kinetics of anticrossing between slip traces and vicinal steps on crystal surfaces

    Coupeau, C., Kazantsev, D. M., Drouet, M. & Alperovich, V. L., 15 авг. 2019, в: Acta Materialia. 175, стр. 206-213 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  13. Evolution of photoemission properties on Cs/GaAs and GaAs(Cs,O) surfaces under thermal cycling

    Khoroshilov, V. S., Kazantsev, D. M. & Zhuravlev, A. G., 20 дек. 2019, в: Journal of Physics: Conference Series. 1410, 1, 012128.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

Назад 1 2 3 Далее

ID: 3443988