1. 2022
  2. Electronic Structure of Magnetic Topological Insulators Mn(Bi1 –xSb x)2Te4 with Various Concentration of Sb Atoms

    Glazkova, D. A., Estyunin, D. A., Klimovskikh, I. I., Makarova, T. P., Tereshchenko, O. E., Kokh, K. A., Golyashov, V. A., Koroleva, A. V. & Shikin, A. M., мар. 2022, в: JETP Letters. 115, 5, стр. 286-291 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Preparation of an Atomically Clean and Structurally Ordered Bi2Se3 (0001) Surface without Molecular Beams and Vacuum Cleaving

    Tarasov, A. S., Golyashov, V. A., Akhundov, I. O., Ishchenko, D. V., Kozhukhov, A. S., Kokh, K. A. & Tereshchenko, O. E., июн. 2022, в: Russian Journal of Physical Chemistry B. 16, 3, стр. 479-482 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. Bi2Se3Nanolayer Growth on 2D Printed Graphene

    Antonova, I. V., Kokh, K. A., Nebogatikova, N. A., Suprun, E. A., Golyashov, V. A. & Tereshchenko, O. E., 7 сент. 2022, в: Crystal Growth and Design. 22, 9, стр. 5335-5344 10 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. New Spin-Polarized Electron Source Based on Alkali Antimonide Photocathode

    Rusetsky, V. S., Golyashov, V. A., Eremeev, S. V., Kustov, D. A., Rusinov, I. P., Shamirzaev, T. S., Mironov, A. V., Demin, A. Y. & Tereshchenko, O. E., 14 окт. 2022, в: Physical Review Letters. 129, 16, 166802.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. Erratum to: Several Articles in JETP Letters (JETP Letters, (2022), 115, 5, (292-296), 10.1134/S0021364022100162)

    Nizamov, B. A., Pshirkov, M. S., Maydykovskiy, A. I., Mamonov, E. A., Mitetelo, N. V., Soria, S., Murzina, T. V., Shvetsov, O. O., Barash, Y. S., Timonina, A. V., Kolesnikov, N. N., Deviatov, E. V., Volovik, G. E., Glazkova, D. A., Estyunin, D. A., Klimovskikh, I. I., Makarova, T. P., Tereshchenko, O. E., Kokh, K. A., Golyashov, V. A., еще 8Koroleva, A. V., Shikin, A. M., Sukhanova, E. V., Kvashnin, A. G., Agamalyan, M. A., Zakaryan, H. A., Popov, Z. I. & Lunkin, A. V., нояб. 2022, в: JETP Letters. 116, 9, стр. 657-659 3 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › комментарий, выступление › Рецензирование

  7. Mixed Type of the Magnetic Order in Intrinsic Magnetic Topological Insulators Mn(Bi,Sb)2Te4

    Glazkova, D. A., Estyunin, D. A., Klimovskikh, I. I., Rybkina, A. A., Golovchanskiy, I. A., Tereshchenko, O. E., Kokh, K. A., Shchetinin, I. V., Golyashov, V. A. & Shikin, A. M., 1 дек. 2022, в: JETP Letters. 116, 11, стр. 817-824 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. Ferromagnetic Layers in a Topological Insulator (Bi,Sb)2Te3Crystal Doped with Mn

    Frolov, A. S., Usachov, D. Y., Fedorov, A. V., Vilkov, O. Y., Golyashov, V., Tereshchenko, O. E., Bogomyakov, A. S., Kokh, K., Muntwiler, M., Amati, M., Gregoratti, L., Sirotina, A. P., Abakumov, A. M., Sánchez-Barriga, J. & Yashina, L. V., 27 дек. 2022, в: ACS Nano. 16, 12, стр. 20831-20841 11 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. 2023
  10. Topological Phase Transitions Driven by Sn Doping in (Mn1−xSnx)Bi2Te4

    Tarasov, A. V., Makarova, T. P., Estyunin, D. A., Eryzhenkov, A. V., Klimovskikh, I. I., Golyashov, V. A., Kokh, K. A., Tereshchenko, O. E. & Shikin, A. M., февр. 2023, в: Symmetry. 15, 2, 469.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  11. Annealing effect on the barrier characteristics and interface properties of Au/Pt/Ti/n-InAlAs Schottky contacts

    Aksenov, M. S., Genze, I. Y., Chistokhin, I. B., Zakirov, E. R., Dmitriev, D. V., Zhuravlev, K. S., Gutakovskii, A. K., Golyashov, V. A. & Tereshchenko, O. E., июл. 2023, в: Surfaces and Interfaces. 39, 102920.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  12. Transport properties of (Bi, Sb)2Te3 topological insulator crystals with lateral p-n junction

    Golyashov, V. A., Kokh, K. A. & Tereshchenko, O. E., дек. 2023, в: Physical Review Materials. 7, 12, 9 стр., 124204.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

ID: 3434138