1. 2023
  2. Effect of n- and p-Doping on Vacancy Formation in Cationic and Anionic Sublattices of (In,Al)As/AlAs and Al(Sb,As)/AlAs Heterostructures

    Shamirzaev, T. S. & Atuchin, V. V., 23 июл. 2023, в: Nanomaterials. 13, 14, 2136.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Optical Orientation of Excitons in a Longitudinal Magnetic Field in Indirect-Band-Gap (In,Al)As/AlAs Quantum Dots with Type-I Band Alignment

    Shamirzaev, T. S., Shumilin, A. V., Smirnov, D. S., Kudlacik, D., Nekrasov, S. V., Kusrayev, Y. G., Yakovlev, D. R. & Bayer, M., 14 февр. 2023, в: Nanomaterials. 13, 4, 729.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. Dynamics of Vacancy Formation and Distribution in Semiconductor Heterostructures: Effect of Thermally Generated Intrinsic Electrons

    Shamirzaev, T. S., Atuchin, V. V., Zhilitskiy, V. E. & Gornov, A. Y., 11 янв. 2023, в: Nanomaterials. 13, 2, 308.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. 2022
  6. New Spin-Polarized Electron Source Based on Alkali Antimonide Photocathode

    Rusetsky, V. S., Golyashov, V. A., Eremeev, S. V., Kustov, D. A., Rusinov, I. P., Shamirzaev, T. S., Mironov, A. V., Demin, A. Y. & Tereshchenko, O. E., 14 окт. 2022, в: Physical Review Letters. 129, 16, 166802.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. 2020
  8. Spectral detection of spin-polarized ultra low-energy electrons in semiconductor heterostructures

    Golyashov, V. A., Rusetsky, V. S., Shamirzaev, T. S., Dmitriev, D. V., Kislykh, N. V., Mironov, A. V., Aksenov, V. V. & Tereshchenko, O. E., 1 нояб. 2020, в: Ultramicroscopy. 218, 8 стр., 113076.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. 2019
  10. GaAs/GaP Quantum-Well Heterostructures Grown on Si Substrates

    Abramkin, D. S., Petrushkov, M. O., Putyato, M. A., Semyagin, B. R., Emelyanov, E. A., Preobrazhenskii, V. V., Gutakovskii, A. K. & Shamirzaev, T. S., 1 сент. 2019, в: Semiconductors. 53, 9, стр. 1143-1147 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  11. Type-I Indirect-Gap Semiconductor Heterostructures on (110) Substrates

    Abramkin, D. S. & Shamirzaev, T. S., 1 мая 2019, в: Semiconductors. 53, 5, стр. 703-710 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  12. 2018
  13. Heterostructures with InAs/AlAs Quantum Wells and Quantum Dots Grown on GaAs/Si Hybrid Substrates

    Abramkin, D. S., Petrushkov, M. O., Putyato, M. A., Semyagin, B. R. & Shamirzaev, T. S., 1 нояб. 2018, в: Semiconductors. 52, 11, стр. 1484-1490 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  14. Spinodal Decomposition in InSb/AlAs Heterostructures

    Abramkin, D. S., Bakarov, A. K., Gutakovskii, A. K. & Shamirzaev, T. S., 1 нояб. 2018, в: Semiconductors. 52, 11, стр. 1392-1397 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  15. Heterostructures with diffused interfaces: Luminescent technique for ascertainment of band alignment type

    Abramkin, D. S., Gutakovskii, A. K. & Shamirzaev, T. S., 21 мар. 2018, в: Journal of Applied Physics. 123, 11, 11 стр., 115701.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1 2 Далее

ID: 3444977