1. 2017
  2. Spin-resolved band structure of heterojunction Bi-bilayer/3D topological insulator in the quantum dimension regime in annealed Bi2Te2.4Se0.6

    Klimovskikh, I. I., Sostina, D., Petukhov, A., Rybkin, A. G., Eremeev, S. V., Chulkov, E. V., Tereshchenko, O. E., Kokh, K. A. & Shikin, A. M., 5 апр. 2017, в: Scientific Reports. 7, стр. 45797 6 стр., 45797.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. AlN/GaN heterostructures for normally-off transistors

    Zhuravlev, K. S., Malin, T. V., Mansurov, V. G., Tereshenko, O. E., Abgaryan, K. K., Reviznikov, D. L., Zemlyakov, V. E., Egorkin, V. I., Parnes, Y. M., Tikhomirov, V. G. & Prosvirin, I. P., 1 мар. 2017, в: Semiconductors. 51, 3, стр. 379-386 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. Ultrafast energy- and momentum-resolved surface Dirac photocurrents in the topological insulator Sb2Te3

    Kuroda, K., Reimann, J., Kokh, K. A., Tereshchenko, O. E., Kimura, A., Güdde, J. & Höfer, U., 2 февр. 2017, в: Physical Review B. 95, 8, 5 стр., 081103.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1 2 3 Далее

ID: 3439409