51 - 60 из 77Размер страницы: 10
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2019

  2. Plasmon Enhancement of the Electric Field in Mid-Infrared Ge/Si Quantum-Dot Photodetectors with Different Thicknesses of the Active Region

    Bloshkin, A. A., Yakimov, A. I. & Dvurechenskii, A. V., 1 февр. 2019, в: Semiconductors. 53, 2, стр. 195-199 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. 2018

  4. Plasmonic Enhancement of the Photoluminescence in Hybrid Structures with SiGe Quantum Dots and Ag Nanoislands

    Zinovyev, V. A., Zinovieva, A. F., Katsuba, A. V., Smagina, Z. V., Dvurechenskii, A. V., Borodavchenko, O. M., Zhivulko, V. D. & Mudryi, A. V., 1 дек. 2018, в: Semiconductors. 52, 16, стр. 2149-2152 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. Nucleation of Three-Dimensional Ge Islands on a Patterned Si(100) Surface

    Rudin, S. A., Smagina, Z. V., Zinovyev, V. A., Novikov, P. L., Nenashev, A. V., Rodyakina, E. E. & Dvurechenskii, A. V., 1 нояб. 2018, в: Semiconductors. 52, 11, стр. 1457-1461 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. Release of carriers from traps enhanced by hopping

    Nenashev, A. V., Valkovskii, V. V., Oelerich, J. O., Dvurechenskii, A. V., Semeniuk, O., Reznik, A., Gebhard, F. & Baranovskii, S. D., 30 окт. 2018, в: Physical Review B. 98, 15, 10 стр., 155207.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. Analytical Expression for the Distribution of Elastic Strain Created by a Polyhedral Inclusion with Arbitrary Eigenstrain

    Nenashev, A. V. & Dvurechenskii, A. V., 1 сент. 2018, в: Physics of the Solid State. 60, 9, стр. 1807-1812 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. Study of the Structural and Emission Properties of Ge(Si) Quantum Dots Ordered on the Si(001) Surface

    Smagina, Z. V., Zinovyev, V. A., Krivyakin, G. K., Rodyakina, E. E., Kuchinskaya, P. A., Fomin, B. I., Yablonskiy, A. N., Stepikhova, M. V., Novikov, A. V. & Dvurechenskii, A. V., 1 сент. 2018, в: Semiconductors. 52, 9, стр. 1150-1155 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. Field-enhanced mobility in the multiple-trapping regime

    Nenashev, A. V., Oelerich, J. O., Jandieri, K., Valkovskii, V. V., Semeniuk, O., Dvurechenskii, A. V., Gebhard, F., Juška, G., Reznik, A. & Baranovskii, S. D., 3 июл. 2018, в: Physical Review B. 98, 3, 8 стр., 035201.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. Quantum Gates with Spin States in Continuous Microwave Field

    Zinovieva, A. F., Nenashev, A. V., Koshkarev, A. A., Zarodnyuk, T. S., Gornov, A. Y. & Dvurechenskii, A. V., 1 июл. 2018, в: Russian Microelectronics. 47, 4, стр. 268-278 11 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  11. Nucleation sites of Ge nanoislands grown on pit-patterned Si substrate prepared by electron-beam lithography

    Smagina, Z. V., Zinovyev, V. A., Rudin, S. A., Novikov, P. L., Rodyakina, E. E. & Dvurechenskii, A. V., 28 апр. 2018, в: Journal of Applied Physics. 123, 16, 5 стр., 165302.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  12. Approximate analytical description of the elastic strain field due to an inclusion in a continuous medium with cubic anisotropy

    Nenashev, A. V., Koshkarev, A. A. & Dvurechenskii, A. V., 14 мар. 2018, в: Journal of Applied Physics. 123, 10, 11 стр., 105104.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 12 3 4 5 6 7 8 Далее

ID: 3442376