51 - 82 из 82Размер страницы: 50
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2019

  2. Percolation description of charge transport in amorphous oxide semiconductors

    Nenashev, A. V., Oelerich, J. O., Greiner, S. H. M., Dvurechenskii, A. V., Gebhard, F. & Baranovskii, S. D., 12 сент. 2019, в: Physical Review B. 100, 12, 8 стр., 125202.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Percolation description of charge transport in the random barrier model applied to amorphous oxide semiconductors

    Baranovskii, S. D., Nenashev, A. V., Oelerich, J. O., Greiner, S. H. M., Dvurechenskii, A. V. & Gebhard, F., 1 сент. 2019, в: EPL. 127, 5, 5 стр., 57004.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. Plasmonic Field Enhancement by Metallic Subwave Lattices on Silicon in the Near-Infrared Range

    Yakimov, A. I., Bloshkin, A. A. & Dvurechenskii, A. V., 1 сент. 2019, в: JETP Letters. 110, 6, стр. 411-416 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. Electron spatial localization tuned by strain in Ge/Si quantum dot heterostructures

    Zinovieva, A. F., Zinovyev, V. A., Nenashev, A. V., Kulik, L. V. & Dvurechenskii, A. V., 22 мар. 2019, в: Physical Review B. 99, 11, 9 стр., 115314.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. Electron Paramagnetic Resonance in Ge/Si Heterostructures with Mn-Doped Quantum Dots

    Zinovieva, A. F., Zinovyev, V. A., Stepina, N. P., Katsuba, A. V., Dvurechenskii, A. V., Gutakovskii, A. K., Kulik, L. V., Bogomyakov, A. S., Erenburg, S. B., Trubina, S. V. & Voelskow, M., 1 февр. 2019, в: JETP Letters. 109, 4, стр. 270-275 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. Plasmon Enhancement of the Electric Field in Mid-Infrared Ge/Si Quantum-Dot Photodetectors with Different Thicknesses of the Active Region

    Bloshkin, A. A., Yakimov, A. I. & Dvurechenskii, A. V., 1 февр. 2019, в: Semiconductors. 53, 2, стр. 195-199 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. 2018

  9. Plasmonic Enhancement of the Photoluminescence in Hybrid Structures with SiGe Quantum Dots and Ag Nanoislands

    Zinovyev, V. A., Zinovieva, A. F., Katsuba, A. V., Smagina, Z. V., Dvurechenskii, A. V., Borodavchenko, O. M., Zhivulko, V. D. & Mudryi, A. V., 1 дек. 2018, в: Semiconductors. 52, 16, стр. 2149-2152 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. Nucleation of Three-Dimensional Ge Islands on a Patterned Si(100) Surface

    Rudin, S. A., Smagina, Z. V., Zinovyev, V. A., Novikov, P. L., Nenashev, A. V., Rodyakina, E. E. & Dvurechenskii, A. V., 1 нояб. 2018, в: Semiconductors. 52, 11, стр. 1457-1461 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  11. Release of carriers from traps enhanced by hopping

    Nenashev, A. V., Valkovskii, V. V., Oelerich, J. O., Dvurechenskii, A. V., Semeniuk, O., Reznik, A., Gebhard, F. & Baranovskii, S. D., 30 окт. 2018, в: Physical Review B. 98, 15, 10 стр., 155207.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  12. Analytical Expression for the Distribution of Elastic Strain Created by a Polyhedral Inclusion with Arbitrary Eigenstrain

    Nenashev, A. V. & Dvurechenskii, A. V., 1 сент. 2018, в: Physics of the Solid State. 60, 9, стр. 1807-1812 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  13. Study of the Structural and Emission Properties of Ge(Si) Quantum Dots Ordered on the Si(001) Surface

    Smagina, Z. V., Zinovyev, V. A., Krivyakin, G. K., Rodyakina, E. E., Kuchinskaya, P. A., Fomin, B. I., Yablonskiy, A. N., Stepikhova, M. V., Novikov, A. V. & Dvurechenskii, A. V., 1 сент. 2018, в: Semiconductors. 52, 9, стр. 1150-1155 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  14. Field-enhanced mobility in the multiple-trapping regime

    Nenashev, A. V., Oelerich, J. O., Jandieri, K., Valkovskii, V. V., Semeniuk, O., Dvurechenskii, A. V., Gebhard, F., Juška, G., Reznik, A. & Baranovskii, S. D., 3 июл. 2018, в: Physical Review B. 98, 3, 8 стр., 035201.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  15. Quantum Gates with Spin States in Continuous Microwave Field

    Zinovieva, A. F., Nenashev, A. V., Koshkarev, A. A., Zarodnyuk, T. S., Gornov, A. Y. & Dvurechenskii, A. V., 1 июл. 2018, в: Russian Microelectronics. 47, 4, стр. 268-278 11 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  16. Nucleation sites of Ge nanoislands grown on pit-patterned Si substrate prepared by electron-beam lithography

    Smagina, Z. V., Zinovyev, V. A., Rudin, S. A., Novikov, P. L., Rodyakina, E. E. & Dvurechenskii, A. V., 28 апр. 2018, в: Journal of Applied Physics. 123, 16, 5 стр., 165302.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  17. Approximate analytical description of the elastic strain field due to an inclusion in a continuous medium with cubic anisotropy

    Nenashev, A. V., Koshkarev, A. A. & Dvurechenskii, A. V., 14 мар. 2018, в: Journal of Applied Physics. 123, 10, 11 стр., 105104.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  18. Energy spectrum of charge carriers in elastically strained assemblies of Ge/Si quantum dots

    Bloshkin, A. A., Yakimov, A. I., Zinovieva, A. F., Zinoviev, V. A. & Dvurechenskii, A. V., мар. 2018, в: Journal of Surface Investigation. 12, 2, стр. 306-316 11 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  19. Enhanced optical properties of silicon based quantum dot heterostructures

    Dvurechenskii, A., Yakimov, A., Kirienko, V., Bloshkin, A., Zinovyev, V., Zinovieva, A. & Mudryi, A., 1 янв. 2018, Physics and Technology of Nanostructured Materials. Trans Tech Publications Ltd, Том 386 DDF. стр. 68-74 7 стр. (Defect and Diffusion Forum; том 386 DDF).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

  20. 2017

  21. Effect of Interstitials Embedded in Pre-Patterned Si Substrate on Location of Ge Nanoislands

    Novikov, P. L., Atovullaev, T., Smagina, Z. V., Dvurechenskii, A. V. & Pavskii, K. V., 1 дек. 2017, в: Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics. 14, 12, 4 стр., 1700200.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  22. Photoluminescence from Ordered Ge/Si Quantum Dot Groups Grown on the Strain-Patterned Substrates

    Dvurechenskii, A., Zinovieva, A., Zinovyev, V., Nenashev, A., Smagina, Z., Teys, S., Shklyaev, A., Erenburg, S., Trubina, S., Borodavchenko, O., Zhivulko, V. & Mudryi, A., 1 дек. 2017, в: Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics. 14, 12, 6 стр., 1700187.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  23. Field dependence of hopping mobility: Lattice models against spatial disorder

    Oelerich, J. O., Nenashev, A. V., Dvurechenskii, A. V., Gebhard, F. & Baranovskii, S. D., 21 нояб. 2017, в: Physical Review B. 96, 19, 9 стр., 195208.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  24. Plasmon polariton enhanced mid-infrared photodetectors based on Ge quantum dots in Si

    Yakimov, A. I., Kirienko, V. V., Bloshkin, A. A., Armbrister, V. A. & Dvurechenskii, A. V., 7 окт. 2017, в: Journal of Applied Physics. 122, 13, 7 стр., 133101.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  25. Hall effect in hopping conduction in an ensemble of quantum dots

    Stepina, N. P., Nenashev, A. V. & Dvurechenskii, A. V., 1 сент. 2017, в: JETP Letters. 106, 5, стр. 308-312 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  26. Fundamental characteristic length scale for the field dependence of hopping charge transport in disordered organic semiconductors

    Nenashev, A. V., Oelerich, J. O., Dvurechenskii, A. V., Gebhard, F. & Baranovskii, S. D., 21 июл. 2017, в: Physical Review B. 96, 3, 7 стр., 035204.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  27. Spin relaxation in Si nanoclusters embedded in free-standing SiGe nanocolumns

    Stepina, N. P., Zinovieva, A. F., Dvurechenskii, A. V., Noda, S., Molla, M. Z. & Samukawa, S., 15 мая 2017, в: Applied Physics Letters. 110, 20, 4 стр., 203103.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  28. Selective enhancement of the hole photocurrent by surface plasmon–polaritons in layers of Ge/Si quantum dots

    Yakimov, A. I., Kirienko, V. V., Armbrister, V. A. & Dvurechenskii, A. V., 1 апр. 2017, в: JETP Letters. 105, 7, стр. 426-429 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  29. Analytical theory for charge carrier recombination in blend organic solar cells

    Nenashev, A. V., Wiemer, M., Dvurechenskii, A. V., Kulik, L. V., Pevtsov, A. B., Gebhard, F., Koch, M. & Baranovskii, S. D., 28 мар. 2017, в: Physical Review B. 95, 10, 12 стр., 104207.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  30. Elastic strain field due to an inclusion of a polyhedral shape with a non-uniform lattice misfit

    Nenashev, A. V. & Dvurechenskii, A. V., 28 мар. 2017, в: Journal of Applied Physics. 121, 12, 19 стр., 125102.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  31. ESR Study of Electron States in Ge/Si Heterostructures with Nanodisc Shaped Quantum Dots

    Zinovieva, A. F., Zinovyev, V. A., Nenashev, A. V., Kulik, L. V. & Dvurechenskii, A. V., 1 февр. 2017, в: Zeitschrift fur Physikalische Chemie. 231, 2, стр. 405-423 19 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  32. Preface

    Latyshev, A. V., Dvurechenskii, A. V. & Aseev, A. L., 1 янв. 2017, Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications: Growth, Characterization, Properties and Applications. Elsevier Science Publishing Company, Inc., стр. xxiii-xxiv (Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › предисловие, научный комментарий, послесловие › научная › Рецензирование

  33. Preface

    Latyshev, A. V., Dvurechenskii, A. V. & Aseev, A. L., 1 янв. 2017, Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications. Elsevier Science Publishing Company, Inc., стр. xxiii-xxiv (Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › предисловие, научный комментарий, послесловие › научная › Рецензирование

  34. Silicon-Based Nanoheterostructures With Quantum Dots

    Dvurechenskii, A. V. & Yakimov, A. I., 1 янв. 2017, Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications. Latyshev, AV., Dvurechenskii, AV. & Aseev, AL. (ред.). Elsevier Science Publishing Company, Inc., стр. 59-99 41 стр. (Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › глава/раздел › научная › Рецензирование

  35. The Energy Pulse-Oriented Crystallization Phenomenon in Solids (Laser Annealing)

    Dvurechenskii, A. V., 1 янв. 2017, Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications. Latyshev, AV., Dvurechenskii, AV. & Aseev, AL. (ред.). Elsevier Science Publishing Company, Inc., стр. 367-381 15 стр. (Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › глава/раздел › научная › Рецензирование

Назад 1 2 Далее

ID: 3442376