11 - 20 из 78Размер страницы: 10
Сортировать по:: Заголовок

  1. Synthesis of Epitaxial Structures with Two-Dimensional Si Layers Embedded in a CaF2 Dielectric Matrix

    Zinovyev, V. A., Zinovieva, A. F., Volodin, V. A., Gutakovskii, A. K., Deryabin, A. S., Krupin, A. Y., Kulik, L. V., Zhivulko, V. D., Mudryi, A. V. & Dvurechenskii, A. V., нояб. 2022, в: JETP Letters. 116, 9, стр. 628-633 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  2. Study of the Structural and Emission Properties of Ge(Si) Quantum Dots Ordered on the Si(001) Surface

    Smagina, Z. V., Zinovyev, V. A., Krivyakin, G. K., Rodyakina, E. E., Kuchinskaya, P. A., Fomin, B. I., Yablonskiy, A. N., Stepikhova, M. V., Novikov, A. V. & Dvurechenskii, A. V., 1 сент. 2018, в: Semiconductors. 52, 9, стр. 1150-1155 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Spin relaxation in Si nanoclusters embedded in free-standing SiGe nanocolumns

    Stepina, N. P., Zinovieva, A. F., Dvurechenskii, A. V., Noda, S., Molla, M. Z. & Samukawa, S., 15 мая 2017, в: Applied Physics Letters. 110, 20, 4 стр., 203103.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. Simulation of Plasmon Enhanced Radiation from SiGe Quantum Dots Combined with Silver Nanoparticles

    Polovnikov, N. A., Zinovyev, V. A. & Dvurechenskii, A. V., июн. 2020, 2020 21st International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, EDM 2020. IEEE Computer Society, стр. 72-75 4 стр. 9153345. (International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, EDM; том 2020-June).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

  5. Silicon-Based Nanoheterostructures With Quantum Dots

    Dvurechenskii, A. V. & Yakimov, A. I., 1 янв. 2017, Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications. Latyshev, AV., Dvurechenskii, AV. & Aseev, AL. (ред.). Elsevier Science Publishing Company, Inc., стр. 59-99 41 стр.

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › глава/раздел › научная › Рецензирование

  6. Si-based light emitters synthesized with Ge+ ion bombardment

    Zinovyev, V. A., Zinovieva, A. F., Smagina, Z. V., Dvurechenskii, A. V., Vdovin, V. I., Gutakovskii, A. K., Fedina, L. I., Borodavchenko, O. M., Zhivulko, V. D. & Mudryi, A. V., 21 окт. 2021, в: Journal of Applied Physics. 130, 15, 153101.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. Semiconductor nanostructures for modern electronics

    Aseev, A. L., Latyshev, A. V. & Dvurechenskii, A. V., 2020, Advanced Research in Materials Science III. Davaasambuu, J. (ред.). Trans Tech Publications Ltd, стр. 65-80 16 стр. (Solid State Phenomena; том 310 SSP).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

  8. Self-Organization of Ge(Si) Nanoisland Groups on Pit-Patterned Si(100) Substrates

    Smagina, Z. V., Zinoviev, V. A., Rudin, S. A., Rodyakina, E. E., Novikov, P. L., Nenashev, A. V. & Dvurechenskii, A. V., дек. 2020, в: Semiconductors. 54, 14, стр. 1866-1868 3 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. Self-assembled epitaxial metal-semiconductor nanostructures with enhanced GeSi quantum dot luminescence

    Zinovyev, V. A., Zinovieva, A. F., Nenashev, A. V., Dvurechenskii, A. V., Katsuba, A. V., Borodavchenko, O. M., Zhivulko, V. D. & Mudryi, A. V., 28 июн. 2020, в: Journal of Applied Physics. 127, 24, 7 стр., 243108.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. Selective enhancement of the hole photocurrent by surface plasmon–polaritons in layers of Ge/Si quantum dots

    Yakimov, A. I., Kirienko, V. V., Armbrister, V. A. & Dvurechenskii, A. V., 1 апр. 2017, в: JETP Letters. 105, 7, стр. 426-429 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1 2 3 4 5 6 7 8 Далее

ID: 3442376