41 - 50 из 78Размер страницы: 10
Сортировать по:: Заголовок

  1. Ordered Arrays of Ge(Si) Quantum Dots Incorporated into Two-Dimensional Photonic Crystals

    Smagina, Z. V., Zinovyev, V. A., Rodyakina, E. E., Fomin, B. I., Stepikhova, M. V., Yablonskiy, A. N., Gusev, S. A., Novikov, A. V. & Dvurechenskii, A. V., 1 окт. 2019, в: Semiconductors. 53, 10, стр. 1329-1333 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  2. Percolation description of charge transport in amorphous oxide semiconductors

    Nenashev, A. V., Oelerich, J. O., Greiner, S. H. M., Dvurechenskii, A. V., Gebhard, F. & Baranovskii, S. D., 12 сент. 2019, в: Physical Review B. 100, 12, 8 стр., 125202.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Percolation description of charge transport in the random barrier model applied to amorphous oxide semiconductors

    Baranovskii, S. D., Nenashev, A. V., Oelerich, J. O., Greiner, S. H. M., Dvurechenskii, A. V. & Gebhard, F., 1 сент. 2019, в: EPL. 127, 5, 5 стр., 57004.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. Photoluminescence from Ordered Ge/Si Quantum Dot Groups Grown on the Strain-Patterned Substrates

    Dvurechenskii, A., Zinovieva, A., Zinovyev, V., Nenashev, A., Smagina, Z., Teys, S., Shklyaev, A., Erenburg, S., Trubina, S., Borodavchenko, O., Zhivulko, V. & Mudryi, A., 1 дек. 2017, в: Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics. 14, 12, 6 стр., 1700187.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. Photoluminescence of compact GeSi quantum dot groups with increased probability of finding an electron in Ge

    Zinovieva, A. F., Zinovyev, V. A., Nenashev, A. V., Teys, S. A., Dvurechenskii, A. V., Borodavchenko, O. M., Zhivulko, V. D. & Mudryi, A. V., 9 июн. 2020, в: Scientific Reports. 10, 1, 9 стр., 9308.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. Plasmon Enhancement of the Electric Field in Mid-Infrared Ge/Si Quantum-Dot Photodetectors with Different Thicknesses of the Active Region

    Bloshkin, A. A., Yakimov, A. I. & Dvurechenskii, A. V., 1 февр. 2019, в: Semiconductors. 53, 2, стр. 195-199 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. Plasmonic Enhancement of the Photoluminescence in Hybrid Structures with SiGe Quantum Dots and Ag Nanoislands

    Zinovyev, V. A., Zinovieva, A. F., Katsuba, A. V., Smagina, Z. V., Dvurechenskii, A. V., Borodavchenko, O. M., Zhivulko, V. D. & Mudryi, A. V., 1 дек. 2018, в: Semiconductors. 52, 16, стр. 2149-2152 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. Plasmonic Field Enhancement by Metallic Subwave Lattices on Silicon in the Near-Infrared Range

    Yakimov, A. I., Bloshkin, A. A. & Dvurechenskii, A. V., 1 сент. 2019, в: JETP Letters. 110, 6, стр. 411-416 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. Plasmon polariton enhanced mid-infrared photodetectors based on Ge quantum dots in Si

    Yakimov, A. I., Kirienko, V. V., Bloshkin, A. A., Armbrister, V. A. & Dvurechenskii, A. V., 7 окт. 2017, в: Journal of Applied Physics. 122, 13, 7 стр., 133101.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. Preface

    Latyshev, A. V., Dvurechenskii, A. V. & Aseev, A. L., 1 янв. 2017, Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications. Elsevier Science Publishing Company, Inc., стр. xxiii-xxiv

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › предисловие, научный комментарий, послесловие › научная › Рецензирование

Назад 1 2 3 4 5 6 7 8 Далее

ID: 3442376