1. 2022
  2. Tuning the configuration of quantum dot molecules grown on stacked multilayers of heteroepitaxial islands

    Rudin, S. A., Zinovyev, V. A., Smagina, Z. V., Novikov, P. L., Shklyaev, A. A. & Dvurechenskii, A. V., 21 янв. 2022, в: Journal of Applied Physics. 131, 3, 035302.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  3. Dependence of the Luminescence Properties of Ordered Groups of Ge(Si) Nanoislands on the Parameters of the Pit-Patterned Surface of a Silicon-on-Insulator Substrate

    Smagina, Z. V., Zinovyev, V. A., Stepikhova, M. V., Peretokin, A. V., Dyakov, S. A., Rodyakina, E. E., Novikov, A. V. & Dvurechenskii, A. V., февр. 2022, в: Semiconductors. 56, 2, стр. 101-106 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  4. Radiation-Induced Nucleation and Growth of CaSi2 Crystals, Both Directly during the Epitaxial CaF2 Growth and after the CaF2 Film Formation

    Dvurechenskii, A. V., Kacyuba, A. V., Kamaev, G. N., Volodin, V. A. & Smagina, Z. V., 1 мая 2022, в: Nanomaterials. 12, 9, 1407.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  5. Comment on “Interplay of Structural and Optoelectronic Properties in Formamidinium Mixed Tin-Lead Triiodide Perovskites”

    Baranovskii, S. D., Höhbusch, P., Nenashev, A. V., Dvurechenskii, A. V., Gerhard, M., Hertel, D., Meerholz, K., Koch, M. & Gebhard, F., 25 июл. 2022, в: Advanced Functional Materials. 32, 30, 2201309.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  6. Light-Trapping-Enhanced Photodetection in Ge/Si Quantum Dot Photodiodes Containing Microhole Arrays with Different Hole Depths

    Yakimov, A. I., Kirienko, V. V., Utkin, D. E. & Dvurechenskii, A. V., сент. 2022, в: Nanomaterials. 12, 17, 2993.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  7. Luminescent properties of spatially ordered Ge/Si quantum dots epitaxially grown on a pit-patterned “silicon-on-insulator” substrate

    Smagina, Z. V., Zinovyev, V. A., Zinovieva, A. F., Stepikhova, M. V., Peretokin, A. V., Rodyakina, E. E., Dyakov, S. A., Novikov, A. V. & Dvurechenskii, A. V., сент. 2022, в: Journal of Luminescence. 249, 119033.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  8. Radiation-Stimulated Formation of Two-Dimensional Structures Based on Calcium Silicide

    Zinovieva, A. F., Zinovyev, V. A., Stepina, N. P., Volodin, V. A., Krupin, A. Y., Kacyuba, A. V. & Dvurechenskii, A. V., окт. 2022, в: Nanomaterials. 12, 20, 3623.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  9. Synthesis of Epitaxial Structures with Two-Dimensional Si Layers Embedded in a CaF2 Dielectric Matrix

    Zinovyev, V. A., Zinovieva, A. F., Volodin, V. A., Gutakovskii, A. K., Deryabin, A. S., Krupin, A. Y., Kulik, L. V., Zhivulko, V. D., Mudryi, A. V. & Dvurechenskii, A. V., нояб. 2022, в: JETP Letters. 116, 9, стр. 628-633 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  10. 2023
  11. Electron-Beam Radiation Effects at the Molecular-Beam Epitaxial Growth of CaF2 Film on Silicon

    Dvurechenskii, A. V., Kacyuba, A. V., Kamaev, G. N. & Volodin, V. A., 2023, в: Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. 87, 6, стр. 809-812 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  12. Медленный свет в спектрах фототока в структурах с квантовыми точками Ge/Si, сопряженных с фотонными кристаллами

    Якимов, А. И., Кириенко, В. В., Двуреченский, А. В. & Utkin, D., 2023, Медленный свет в спектрах фототока в структурах с квантовыми точками Ge/Si, сопряженных с фотонными кристаллами. Издательство "Перо", стр. 56 1 стр.

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференцийстатья в сборнике материалов конференциинаучнаяРецензирование

ID: 3442376