1. 2017
  2. Mechanism of charge transport of stress induced leakage current and trap nature in thermal oxide on silicon

    Islamov, D. R., Gritsenko, V. A., Perevalov, T. V., Orlov, O. M. & Krasnikov, G. Y., 15 авг. 2017, в: Journal of Physics: Conference Series. 864, 1, 4 стр., 012003.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатья по материалам конференцииРецензирование

  3. Oxygen polyvacancy in anatas as a filament: First principle investigation

    Perevalov, T. V. & Islamov, D. R., 15 авг. 2017, в: Journal of Physics: Conference Series. 864, 1, 4 стр., 012084.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатья по материалам конференцииРецензирование

  4. Fundamental characteristic length scale for the field dependence of hopping charge transport in disordered organic semiconductors

    Nenashev, A. V., Oelerich, J. O., Dvurechenskii, A. V., Gebhard, F. & Baranovskii, S. D., 21 июл. 2017, в: Physical Review B. 96, 3, 7 стр., 035204.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  5. Robust helical edge transport at ν=0 quantum Hall state

    Gusev, G. M., Kozlov, D. A., Levin, A. D., Kvon, Z. D., Mikhailov, N. N. & Dvoretsky, S. A., 21 июл. 2017, в: Physical Review B. 96, 4, 5 стр., 045304.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  6. Atomic and electronic structure of oxygen polyvacancies in ZrO2

    Perevalov, T. V. & Islamov, D. R., 25 июн. 2017, в: Microelectronic Engineering. 178, стр. 275-278 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  7. Determination of trap density in hafnia films produced by two atomic layer deposition techniques

    Islamov, D. R., Gritsenko, V. A. & Lebedev, M. S., 25 июн. 2017, в: Microelectronic Engineering. 178, стр. 104-107 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  8. Giant Magnetic Band Gap in the Rashba-Split Surface State of Vanadium-Doped BiTeI: A Combined Photoemission and Ab Initio Study

    Klimovskikh, I. I., Shikin, A. M., Otrokov, M. M., Ernst, A., Rusinov, I. P., Tereshchenko, O. E., Golyashov, V. A., Sánchez-Barriga, J., Varykhalov, A. Y., Rader, O., Kokh, K. A. & Chulkov, E. V., 13 июн. 2017, в: Scientific Reports. 7, 1, стр. 3353 8 стр., 3353.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  9. Anomalously large gap and induced out-of-plane spin polarization in magnetically doped 2D Rashba system: V-doped BiTeI

    Shikin, A. M., Rybkina, A. A., Klimovskikh, I. I., Tereshchenko, O. E., Bogomyakov, A. S., Kokh, K. A., Kimura, A., Skirdkov, P. N., Zvezdin, K. A. & Zvezdin, A. K., 1 июн. 2017, в: 2D Materials. 4, 2, 9 стр., 025055.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  10. Local monitoring of atomic steps on GaAs(001) surface under oxidation, wet removal of oxides and thermal smoothing

    Akhundov, I. O., Kazantsev, D. M., Alperovich, V. L., Sheglov, D. V., Kozhukhov, A. S. & Latyshev, A. V., 1 июн. 2017, в: Applied Surface Science. 406, стр. 307-311 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  11. Geometric and electronic structure of the cs-doped Bi2Se3(0001) surface

    Otrokov, M. M., Ernst, A., Mohseni, K., Fulara, H., Roy, S., Castro, G. R., Rubio-Zuazo, J., Ryabishchenkova, A. G., Kokh, K. A., Tereshchenko, O. E., Aliev, Z. S., Babanly, M. B., Chulkov, E. V., Meyerheim, H. L. & Parkin, S. S. P., 22 мая 2017, в: Physical Review B. 95, 20, 9 стр., 205429.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

ID: 3084764