1. 2019
  2. Conduction mechanisms of TaN/HfO x /Ni memristors

    Voronkovskii, V. A., Aliev, V. S., Gerasimova, A. K. & Islamov, D. R., 5 апр. 2019, в: Materials Research Express. 6, 7, 7 стр., 076411.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  3. Evolution of Micropits on Large Terraces of the Si(111) Surface during High-Temperature Annealing

    Petrov, A. S., Sitnikov, S. V., Kosolobov, S. S. & Latyshev, A. V., 1 апр. 2019, в: Semiconductors. 53, 4, стр. 434-438 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  4. Electron spatial localization tuned by strain in Ge/Si quantum dot heterostructures

    Zinovieva, A. F., Zinovyev, V. A., Nenashev, A. V., Kulik, L. V. & Dvurechenskii, A. V., 22 мар. 2019, в: Physical Review B. 99, 11, 9 стр., 115314.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  5. Superradiant and transport lifetimes of the cyclotron resonance in the topological insulator HgTe

    Gospodarič, J., Dziom, V., Shuvaev, A., Dobretsova, A. A., Mikhailov, N. N., Kvon, Z. D. & Pimenov, A., 20 мар. 2019, в: Physical Review B. 99, 11, 5 стр., 115130.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  6. Dirac gap opening and Dirac-fermion-mediated magnetic coupling in antiferromagnetic Gd-doped topological insulators and their manipulation by synchrotron radiation

    Shikin, A. M., Estyunin, D. A., Surnin, Y. I., Koroleva, A. V., Shevchenko, E. V., Kokh, K. A., Tereshchenko, O. E., Kumar, S., Schwier, E. F., Shimada, K., Yoshikawa, T., Saitoh, Y., Takeda, Y. & Kimura, A., 18 мар. 2019, в: Scientific Reports. 9, 1, стр. 4813 17 стр., 4813.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  7. Identification of the nature of traps involved in the field cycling of Hf0.5Zr0.5O2-based ferroelectric thin films

    Islamov, D. R., Gritsenko, V. A., Perevalov, T. V., Pustovarov, V. A., Orlov, O. M., Chernikova, A. G., Markeev, A. M., Slesazeck, S., Schroeder, U., Mikolajick, T. & Krasnikov, G. Y., 1 мар. 2019, в: Acta Materialia. 166, стр. 47-55 9 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  8. Resonance reflection of light by ordered silicon nanopillar arrays with the vertical p-n junction

    Basalaeva, L. S., Nastaushev, Y. V., Kryzhanovskaya, N. V., Moiseev, E. I., Radnatarov, D. A., Khripunov, S. A., Utkin, D. E., Chistokhin, I. B., Latyshev, A. V. & Dultsev, F. N., 28 февр. 2019, в: Thin Solid Films. 672, стр. 109-113 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  9. Electron Paramagnetic Resonance in Ge/Si Heterostructures with Mn-Doped Quantum Dots

    Zinovieva, A. F., Zinovyev, V. A., Stepina, N. P., Katsuba, A. V., Dvurechenskii, A. V., Gutakovskii, A. K., Kulik, L. V., Bogomyakov, A. S., Erenburg, S. B., Trubina, S. V. & Voelskow, M., 1 февр. 2019, в: JETP Letters. 109, 4, стр. 270-275 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  10. Energy relaxation of hot carriers near the charge neutrality point in HgTe-based 2D topological insulators

    Rahim, A., Gusev, G. M., Kvon, Z. D., Olshanetsky, E. B., Mikhailov, N. N. & Dvoretsky, S. A., 1 февр. 2019, в: Microelectronic Engineering. 206, стр. 55-59 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  11. Inverted Dirac-electron population for broadband lasing in a thermally activated p-type topological insulator

    Sumida, K., Ishida, Y., Yoshikawa, T., Chen, J., Nurmamat, M., Kokh, K. A., Tereshchenko, O. E., Shin, S. & Kimura, A., 1 февр. 2019, в: Physical Review B. 99, 8, 6 стр., 085302.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

ID: 3084764