401 - 420 из 454Размер страницы: 20
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2017

  2. Atomic and electronic structure of oxygen polyvacancies in ZrO2

    Perevalov, T. V. & Islamov, D. R., 25 июн. 2017, в: Microelectronic Engineering. 178, стр. 275-278 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Determination of trap density in hafnia films produced by two atomic layer deposition techniques

    Islamov, D. R., Gritsenko, V. A. & Lebedev, M. S., 25 июн. 2017, в: Microelectronic Engineering. 178, стр. 104-107 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. Giant Magnetic Band Gap in the Rashba-Split Surface State of Vanadium-Doped BiTeI: A Combined Photoemission and Ab Initio Study

    Klimovskikh, I. I., Shikin, A. M., Otrokov, M. M., Ernst, A., Rusinov, I. P., Tereshchenko, O. E., Golyashov, V. A., Sánchez-Barriga, J., Varykhalov, A. Y., Rader, O., Kokh, K. A. & Chulkov, E. V., 13 июн. 2017, в: Scientific Reports. 7, 1, стр. 3353 8 стр., 3353.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. Anomalously large gap and induced out-of-plane spin polarization in magnetically doped 2D Rashba system: V-doped BiTeI

    Shikin, A. M., Rybkina, A. A., Klimovskikh, I. I., Tereshchenko, O. E., Bogomyakov, A. S., Kokh, K. A., Kimura, A., Skirdkov, P. N., Zvezdin, K. A. & Zvezdin, A. K., 1 июн. 2017, в: 2D Materials. 4, 2, 9 стр., 025055.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. Local monitoring of atomic steps on GaAs(001) surface under oxidation, wet removal of oxides and thermal smoothing

    Akhundov, I. O., Kazantsev, D. M., Alperovich, V. L., Sheglov, D. V., Kozhukhov, A. S. & Latyshev, A. V., 1 июн. 2017, в: Applied Surface Science. 406, стр. 307-311 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. Geometric and electronic structure of the cs-doped Bi2Se3(0001) surface

    Otrokov, M. M., Ernst, A., Mohseni, K., Fulara, H., Roy, S., Castro, G. R., Rubio-Zuazo, J., Ryabishchenkova, A. G., Kokh, K. A., Tereshchenko, O. E., Aliev, Z. S., Babanly, M. B., Chulkov, E. V., Meyerheim, H. L. & Parkin, S. S. P., 22 мая 2017, в: Physical Review B. 95, 20, 9 стр., 205429.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. Spin relaxation in Si nanoclusters embedded in free-standing SiGe nanocolumns

    Stepina, N. P., Zinovieva, A. F., Dvurechenskii, A. V., Noda, S., Molla, M. Z. & Samukawa, S., 15 мая 2017, в: Applied Physics Letters. 110, 20, 4 стр., 203103.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. A two-dimensional electron gas sensing motion of a nanomechanical cantilever

    Shevyrin, A. & Pogosov, A., 12 мая 2017, в: Mechanical Sciences. 8, 1, стр. 111-115 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. Photogalvanic probing of helical edge channels in two-dimensional HgTe topological insulators

    Dantscher, K. M., Kozlov, D. A., Scherr, M. T., Gebert, S., Bärenfänger, J., Durnev, M. V., Tarasenko, S. A., Bel'Kov, V. V., Mikhailov, N. N., Dvoretsky, S. A., Kvon, Z. D., Ziegler, J., Weiss, D. & Ganichev, S. D., 8 мая 2017, в: Physical Review B. 95, 20, 5 стр., 201103.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  11. Nanoantenna-assisted plasmonic enhancement of IR absorption of vibrational modes of organic molecules

    Milekhin, A. G., Cherkasova, O., Kuznetsov, S. A., Milekhin, I. A., Rodyakina, E. E., Latyshev, A. V., Banerjee, S., Salvan, G. & Zahn, D. R. T., 3 мая 2017, в: Beilstein Journal of Nanotechnology. 8, 1, стр. 975-981 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  12. Electron emission from Cs/GaAs and GaAs(Cs, О) with positive and negative electron affinity

    Zhuravlev, A. G., Khoroshilov, V. S. & Alperovich, V. L., 1 мая 2017, в: JETP Letters. 105, 10, стр. 686-690 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  13. Thermodynamic and kinetic roughening: Monte Carlo simulation and experiment on GaAs

    Kazantsev, D. M., Akhundov, I. O., Kozhukhov, A. S. & Alperovich, V. L., 11 апр. 2017, в: Journal of Physics: Conference Series. 816, 1, 5 стр., 012008.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

  14. Spin-resolved band structure of heterojunction Bi-bilayer/3D topological insulator in the quantum dimension regime in annealed Bi2Te2.4Se0.6

    Klimovskikh, I. I., Sostina, D., Petukhov, A., Rybkin, A. G., Eremeev, S. V., Chulkov, E. V., Tereshchenko, O. E., Kokh, K. A. & Shikin, A. M., 5 апр. 2017, в: Scientific Reports. 7, стр. 45797 6 стр., 45797.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  15. Quantum capacitance of a three-dimensional topological insulator based on HgTe

    Kozlov, D. A., Bauer, D., Ziegler, J., Fischer, R., Savchenko, M. L., Kvon, Z. D., Mikhailov, N. N., Dvoretsky, S. A. & Weiss, D., 1 апр. 2017, в: Low Temperature Physics. 43, 4, стр. 430-436 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  16. Selective enhancement of the hole photocurrent by surface plasmon–polaritons in layers of Ge/Si quantum dots

    Yakimov, A. I., Kirienko, V. V., Armbrister, V. A. & Dvurechenskii, A. V., 1 апр. 2017, в: JETP Letters. 105, 7, стр. 426-429 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  17. Analytical theory for charge carrier recombination in blend organic solar cells

    Nenashev, A. V., Wiemer, M., Dvurechenskii, A. V., Kulik, L. V., Pevtsov, A. B., Gebhard, F., Koch, M. & Baranovskii, S. D., 28 мар. 2017, в: Physical Review B. 95, 10, 12 стр., 104207.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  18. Elastic strain field due to an inclusion of a polyhedral shape with a non-uniform lattice misfit

    Nenashev, A. V. & Dvurechenskii, A. V., 28 мар. 2017, в: Journal of Applied Physics. 121, 12, 19 стр., 125102.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  19. Surface-Enhanced Infrared Absorption by Optical Phonons in Nanocrystal Monolayers on Au Nanoantenna Arrays

    Milekhin, A. G., Kuznetsov, S. A., Sveshnikova, L. L., Duda, T. A., Milekhin, I. A., Rodyakina, E. E., Latyshev, A. V., Dzhagan, V. M. & Zahn, D. R. T., 16 мар. 2017, в: Journal of Physical Chemistry C. 121, 10, стр. 5779-5786 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  20. AlN/GaN heterostructures for normally-off transistors

    Zhuravlev, K. S., Malin, T. V., Mansurov, V. G., Tereshenko, O. E., Abgaryan, K. K., Reviznikov, D. L., Zemlyakov, V. E., Egorkin, V. I., Parnes, Y. M., Tikhomirov, V. G. & Prosvirin, I. P., 1 мар. 2017, в: Semiconductors. 51, 3, стр. 379-386 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  21. Charge transport in thin hafnium and zirconium oxide films

    Islamov, D. R., Gritsenko, V. A. & Chin, A., 1 мар. 2017, в: Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. 53, 2, стр. 184-189 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1...17 18 19 20 21 22 23 Далее

ID: 3084764